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Intel 2030年进入0.016微米制程时代
2004-07-14 10:11:00  出处:快科技 作者:P兔毛毛 编辑:P兔毛毛     评论(0)点击可以复制本篇文章的标题和链接

根据网站Semiconductor Reporter报导,英特尔(Intel)科技策略主管暨半导体ITRS主席Paolo Gargini日前在美国旧金山Semicon West专题演讲中表示,摩尔定律(Moore''s Law)还活得好好的,未来15~20年仍未有变化,别急着帮互补性金属氧化物半导体(Complementary Metal-Oxide Semiconductor;CMOS)科技判死刑,预估CMOS制程科技还有20年日子,英特尔估计到2030年将进入0.016微米制程世代,不过,就半导体设备商的立场来看,现在应可开始为CMOS后继者所需导入全新的设备研发预作准备。

据报导, CMOS制程具有省电、便宜、制程的可重复性等优点,自1970年代以来跃为IC主流,目前CMOS在量产方面的成熟度,不仅是仍是半导体产业的主流,而其它半导体技术仍难以望其项背。然而,当前半导体产业制程技术纷纷开始向12吋晶圆与90奈米制程发展,未来在晶体管继续缩小面临物理学之极限时,已有不少人质疑CMOS半导体技术是否亦已濒临垂危之命运边缘?不过,英特尔的Gargini则指出,忧心CMOS半导体技术已面临极限的说法,未免过于杞人忧天,在英特尔的规划当中,后CMOS半导体时代(post-CMOS semiconductor era)至少要等到2020年以后才有可能,在此同时,CMOS亦将与其它半导体技术同时并存,Gargini认为,这反而不是半导体产业的危机,而应该视之为整合多重半导体技术的契机。

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