台积电28nm工艺提供了HP HKMG高性能、HPL HKMG低漏电、LP SION低成本、HPM  HKMG移动计算四种版本。虽然为客户提供了更多、更有针对性的选择，但开发和生产难度因此大大提高，也分散了原本就不充裕的产能。为了不再20nm工艺上重演悲剧，台积电已经决定改变做法，不再划分不同的工艺版本。

台积电在近日举行的技术年会上宣布了这一消息。

台积电执行副总裁、联合首席运营官、资深老将蒋尚义表示，台积电原本准备了两种20nm版本，一是高性能一是低功耗，都继续使用HKMG技术，但经过反复研究后发现两种版本之间并没有明显的性能差异，因为20nm工艺下的晶体管间距已经如此之小，基本逼近了物理极限，没有太多调整的余地。

蒋尚义说，台积电预计明年就开始投产20nm工艺。

他还透露说，20nm之后，如果光刻技术不足以支撑足够高成本效率的14nm工艺，台积电会考虑18nm或者16nm这样的“半代工艺”作为过渡。

随着半导体技术复杂度的大幅提高，14nm将会是一个异常严峻的考研，需要新的晶体管架构(比如说FinFET 3D)等创新技术，因此开发代价也必然会相当高昂，很容易导致新工艺芯片的成本反而比20nm的还要高，因此作为折中和妥协，开发18/16nm等半代工艺也是很合理的。

台积电的另一个担心是，14nm工艺可能需要极紫外(EUV)光刻技术，但是2015年之前或许都无法实现它，因为其一直不够非成熟，而且功耗太高，暂时没有合适的电源。ASML Holding NV等光刻设备提供商正在努力调整193毫米沉浸式光刻技术，以适应14nm工艺，但为了获得足够高的光刻质量，需要大量的双重曝光显影乃至是三重曝光(triple-patterning)，量产难度和成本都太高。

蒋尚义说，台积电正在“非常认真地考虑”是否做18/16nm工艺，“因为如果选择了它们，就必须为客户提供长达十年的服务”。