为了达到更高的容量，现在的NAND闪存芯片通常都会采用MCP(多芯片封装)形式，将多颗die整合在一起，不过工艺和技术所限，一般每颗闪存内只有两个或四个die，八个的都极其罕见，而加拿大公司MOSAID Technologies今天宣布，他们已经试产了全球第一颗采用惊人十六die封装的NAND闪存芯片，让他们和谐地运行在了一个高性能通道内。

这颗闪存采用了MOSAID独家的HLNAND MCP技术，利用两个HyperLink NAND接口将多达16颗业界标准的32Gb(4GB) NAND Flash die放到了一起，总容量达到了64GB，而单个字节宽度的HLNAND接口通道输出带宽为333MB/s，同步读写数据率667MB/s，另外电压1.8V，低功耗、完整独立逻辑单元号(LUN)运行，无需终端电阻。

该闪存的封装格式为100-ball BGA，长宽尺寸仅18×14毫米。

如果使用传统MCP封装技术，超过四个NAND die的堆叠就会严重影响性能，并且需要两个或更多通道才能获得类似的吞吐带宽。