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媲美DDR4:三星开发1.25V超低压DDR3内存
2011-09-15 15:47:12  出处:快科技 作者:上方文Q 编辑:上方文Q     评论(0)点击可以复制本篇文章的标题和链接

三星电子今天宣布已经成功开发出电压只有1.25V的绿色版DDR3 RDIMM内存条,而标准版DDR3的电压为1.5V,低压版也有1.35V。

即使是正在开发之中的下代内存标准DDR4,其预期电压也不过1.2V

三星这种超低压内存条使用了30nm级别工艺的内存颗粒单颗容量4Gb(512MB),运行频率最高1333MHz。如果是一条16GB容量的,整体功耗将只有3.7W,相比于同等工艺、同等容量的1.35V低压版可省电大约15%,对比40nm工艺、2Gb颗粒的更是可以省下60%之多。

三星计划在通过OEM厂商认证后开始量产,整条容量有4GB、8GB、16GB三种版本,并预计明年开始大规模进驻数据中心和企业服务器系统,尤其是那些需要超低功耗服务器的地方。

很可惜,桌面用户是享受不到的。

媲美DDR4:三星开发1.25V超低压DDR3内存

 

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