Tessera Technologies, Inc.旗下全资子公司Invensas Corporation今天宣布，将在本月中旬的Intel举办旧金山秋季IDF 2011上展示自己的新型多die面朝下内存封装技术“xFD”，比传统的双die封装形式(DDP)更进一步。也许在未来的某一天，我们将能够看到只有两颗乃至一颗芯片的内存条了。

xFD全称multi-die face-down，是一种基于焊线(wirebond)的多die封装技术，将多颗DRAM IC以面朝下的方式封装在一颗芯片内，并采用类似windows-BGA封装的短焊线结构，号称：

－ 提升容量，整体元件尺寸比传统方案缩小25-35％，主要是垂直高度大大降低；

－ 增强电气性能，同时因为上下die性能均衡而可将良品率提升50-70％；

－ 比传统双die封装(DDP)热传输效率提升20-30％。

xFD技术现在有两种形式，一是“DFD”(Dual Face Down)，单芯片封装两颗x4/x8/x16 DRAM die，其中x4/x8版本采用104 BGA封装，尺寸11.5×11.5毫米，x16版本采用136 BGA封装，尺寸11.5×11.5毫米或者11.5×14毫米。

二是“QFD”(Quad Face Down)，单芯片封装四颗x8/x15 DRAM die，256 BGA封装，尺寸16.2×16.2毫米。

如果你担心这种封装下的内存性能的话，Invensas公司宣称其可在2133MHz高频率下运行，而且经过了完全调试和认证。

Invensas xFD封装技术主要面向服务器、数据中心、笔记本和其它移动设备，但何时能够出现在市面上还不得而知。

DFD封装内存芯片

xFD封装内存条

xFD封装架构图

传统的DDF封装架构图