IBM的研究人员们近日再次得出丰硕成果，攻克了相变存储(PCM)的一大难题：多位封装。

相变存储技术已经开发了很多年，但是一直被局限在每单元一比特数据上，也就是1 bit-per-cell(1bpc)，这样自然难以大幅提升容量、降低成本。

IBM最近终于完成了一颗多位PCM试验芯片，采用90nm CMOS工艺制造，不但读写速度高于普通NAND闪存，写入循环寿命也高达惊人的1000多万次。相比之下，目前最先进的25nm MLC NAND闪存只能坚持大约3000次就会挂掉(事实上34nm工艺的还要稍好些)。

另外，IBM这种多位PCM芯片的写入延迟最差也有10微秒左右，比当前最先进的闪存快100倍。

不过IBM并未透露他们在一个单元内封装了多少个比特位，而且要看到这种新技术的量产，至少还得等四五年。