正文内容 评论（0）

Intel宣布革命性3-D晶体管 22nm Ivy Bridge尝鲜
2011-05-05 10:19:46  出处：快科技 作者：上方文Q 编辑：上方文Q     评论(0)点击可以复制本篇文章的标题和链接
#快讯

Intel宣布革命性3-D晶体管 22nm Ivy Bridge尝鲜
Bulk晶体管

Intel宣布革命性3-D晶体管 22nm Ivy Bridge尝鲜
厚膜部分耗尽SOI (PDSOI)

Intel宣布革命性3-D晶体管 22nm Ivy Bridge尝鲜
薄膜全耗尽SOI (FDSOI)

Intel宣布革命性3-D晶体管 22nm Ivy Bridge尝鲜
薄膜全耗尽三维晶体管

Intel宣布革命性3-D晶体管 22nm Ivy Bridge尝鲜
可以多个鳍片连接在一起，提高整体应变强度，进而提高性能

Intel宣布革命性3-D晶体管 22nm Ivy Bridge尝鲜
传统平面晶体管栅极电压与通道电流关系图

Intel宣布革命性3-D晶体管 22nm Ivy Bridge尝鲜
同等电压下，三维晶体管电流更低，而且电压越低越明显，从而降低漏电率

责任编辑：

内容导航
相关资讯
  • 支持打赏

  • 支持0人

  • 反对

  • 打赏

文章价值打分

当前文章打分0 分，共有0人打分
  • 分享好友:
  • |
本文收录在
#快讯

  • 热门文章
  • 换一波

  • 好物推荐
  • 换一波

  • 关注我们

  • 微博

    微博：快科技官方

    快科技官方微博
  • 今日头条

    今日头条：快科技

    带来硬件软件、手机数码最快资讯！
  • 抖音

    抖音：kkjcn

    科技快讯、手机开箱、产品体验、应用推荐...
关于我们
关于我们
隐私权说明
交流合作
加入我们
意见反馈
广告刊例
关注我们
微信公众号：快科技微信公众号
微博号：快科技官方
QQ群：53467377
  • 安卓客户端下载安卓客户端下载
  • IOS客户端下载IOS客户端下载