日本网站PCWatch专栏作家後藤弘茂近日撰文，对下一代内存规格DDR4做了一番前瞻性介绍。新内存将给桌面、笔记本、服务器、工作站再次带来大幅度的性能提升，但也会显著改变内存子系统的拓扑结构。

在日本东京举行的MemCon 2010大会上，US Modular公司工程副总裁、JEDEC董事会成员Bill Gervasi介绍说，DDR4内存的有效运行频率初步设定在2133-4266MHz之间，运行电压则会进一步降低至1.2V、1.1V，甚至还可能会有1.05V的超低压节能版，生产工艺预计首批采用36nm或者32nm。

目前的DDR3内存最高标准频率为2133MHz，电压则有标准版1.5V、节能版1.35V两种。DDR4将继续沿着高频率、低电压之路前进。

JEDEC预计在2011年完成DDR4内存规范的制定工作，2012年开始商用，超过DDR3而成为主流规格则可能要等到2015年。

DDR、DDR2、DDR3一路走来，频率更高、电压更低的同时延迟也在不断变大，慢慢改变着内存子系统，DDR4带来的变化甚至可能更大。後藤弘茂分析称，DDR4时代每个内存通道只会支持一条内存模组，因为开发人员准备使用点对点技术取代目前的多点总线。这样一来，系统可用内存条数量、容量都将受到很大限制，为此开发人员正在思考两种解决方法：

第一，让DRAM厂商借助硅穿孔(TSV)技术和多层制造工艺大幅提高单个内存颗粒的容量，这就对DRAM生产技术提出了几乎苛刻的要求，而且用户升级也会比较麻烦，为了提高多通道性能必须同时替换所有内存条。

第二，在服务器领域内，如果多层DRAM IC方式不适合，就在主板上安装特殊开关，允许多个内存条工作在同一内存通道内，这显然会增加主板的难度和成本，还可能会影响性能，带来潜在的兼容性问题。

内存频率规格路线图

内存电压规格路线图

不同时代内存频率、电压、功耗关系图

DDR4会尝试使用硅穿孔(TSV)技术来提升容量密度

DDR4内存规格预测

从DDR3的多点总线到DDR4的点对点技术

DDR4可能会在服务器上使用切换开关来扩大每通道容量

DRAM内存单元频率和循环时间关系图

DRAM内存总体规格路线图

DRAM制造工艺路线图