AMD宣布最新的45毫微米制作工艺--快科技--科技改变未来

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AMD宣布最新的45毫微米制作工艺

2003-12-13 22:07:00 出处：快科技作者：forry 编辑：forry 评论(0)

正在美国举办的2003IEEE国际电子设备会议上，AMD公布了新一代的45毫微米SOI晶体管设计技术。

AMD宣称其已经在现有的处理器上成功试验了SOI技术。AMD宣布，现有的最先进的AMD处理器的门电路长度，最低也要50毫微米。AMD的新晶体管使用三个门电路，而不是传统技术的一个门电路，并且采用了很多创新使得连续晶体管门缩放比例可以达到20毫微米左右的水平。AMD的多门设计技术包括，充分耗竭SOI，金属门，本地张力通道等等新技术。

AMD并没有提供详细的试验用处理器的信息，但是AMD说AMD下一代SOI研究是基于现有SOI产品设计的，同时还提供了关于其low-k绝缘体材料的信息。这些low-k材料帮助隔离铜导线，降低干扰，减少功耗。

对了有消息说，为此AMD还公然指责英特尔引以为自豪的high-k技术不济，并称自己的硅绝缘体(SOI)技术才是处理器发展的未来所在。

对于未来之路，AMD投入了大量的财力和资源去开发新技术，看来顽固的桑德斯决不愿意AMD落于英特尔的身后，无论是技术还是市场。

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