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Numonyx发布Omneo PCM系列相变存储芯片
2010-04-24 12:52:18  出处:快科技 作者:上方文Q 编辑:上方文Q     评论(0)点击可以复制本篇文章的标题和链接

Intel、意法半导体联合投资的Numonyx(恒忆)今天发布了基于相变存储技术的Omneo系列新款相变存储芯片,这也是该公司专注于该领域的最新商用产品成果。

相变存储(PCM)是一款新型非易失性存储器,可以像闪存那样在断电后保存数据,同时读写速度和寿命更高,可以随时支持新的应用模块,能够满足消费类电子、计算机及通讯电子系统(3C)融合对存储器的庞大需求。三星电子已经于去年9月底开始量产相变随机存储芯片(PRAM)

Numonyx此番推出的“Omneo PCM”品牌相变存储芯片主要面向有线与无线通信、消费电子、PC和其他嵌入式领域,综合了各种闪存技术和RAM、EEPROM的优良属性,号称写入速度是当前闪存的最快300倍,写入寿命也是10倍以上。

Omneo P5Q PCM兼具串行NOR闪存和EEPROM技术的特点,使用90nm工艺制造,标准串行外设接口(SPI)的SOIC-16封装,单颗容量128Mb(16MB),单/双IO带宽66MHz,四I/O带宽50MHz,编程时间0.7MB/s(65nm SPI NOR闪存的最快三倍),写入耐久性100万次(NOR闪存的十倍),支持字节变性(无需擦除操作而提高性能)。

Omneo P8P PCM则是Numonyx发布的第二批90nm 128Mb高性能并行接口产品,56-lead TSOP或者64-ball Easy BGA封装,尺寸8×10毫米,兼容现有并行NOR闪存插槽,同样支持支持字节变性,写入周期也有100万次,而2008年12月的第一批产品只有10万次。

Numony Omneo P5Q/P8P PCM系列相变存储芯片现均已批量供货。

Numonyx发布Omneo PCM系列相变存储芯片

 

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