各大DRAM厂商都在积极迈向新工艺，日本尔必达却独辟蹊径，持续改进65nm工艺，获得了低成本的1Gb DDR3 DRAM颗粒。

由于DRAM市场从2008年起遭遇大滑坡，尔必达实施了两手抓的研发策略，一方面按惯例向新工艺迁移，另一方面对现有工艺进行改进升级，降低投资成本。这样，在进军50nm、40nm工艺的同时，尔必达还利用现有的氟化氩(ArF)干扫描机设备，在2008年研发了65nm S工艺(Shrink)，如今又有了65nm XS工艺(eXtra Shrink)。

65nm XS可以说是65nm S的二次改进版，集成度更高，芯片面积更小，在同一块300毫米晶圆上能多切割出大约25％的芯片，因此效率更高、成本更低，和50nm工艺芯片几乎相当。

除此之外，65nm XS还缩短了制造工艺的研发过程，通过对现有设备的再利用降低了制造成本。

65nm XS 1Gb DDR3内存颗粒将于2010年第一季度投入量产，面向PC和服务器领域。