Intel芯片技术取得突破，高电介质晶体管提升处理器速度 --快科技--科技改变未来

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Intel芯片技术取得突破，高电介质晶体管提升处理器速度

2003-11-05 11:20:00 出处：快科技作者：P兔毛毛编辑：P兔毛毛评论(0)

Intel今天宣布在芯片研发技术上取得突破，Intel表示已经完成High-K（高电介质）金属门电路晶体管技术的研发，和目前CMOS晶体管相比，High-K（高电介质）金属门电路晶体管的容量提升60%，因此High-K（高电介质）金属门电路晶体管转换速度更快，另外，High-K（高电介质）金属门电路晶体管功耗泄漏状况比传统的CMOS晶体管降低100倍，采用High-K（高电介质）金属门电路晶体管的处理器，在性能和发热量方面比目前处理器将有大幅度提升。