在推出了业界首个2Gb DDR2内存颗粒后，尔必达近日又宣布了号称是业界最小的40nm 2Gb DDR3 SDRAM内存颗粒，相比先前的50nm制程工艺，每片晶圆的产量提高了44%，1.6Gbps数据传输率下的产量率更是达到了100%。

新40nm 2Gb DDR3内存和50nm产品相比，驱动电流是后者的2/3，支持1.2V、1.35V低压工作，也同样支持标准1.5V DDR3工作电压，功耗降低45%。据尔必达介绍，从50nm向40nm转换的成本几乎为零，从65nm向40nm工艺的转换成本也可控制在理想的范围之内。

尔必达还在开发65nm XS制程技术，并称该技术产品可以和50nm工艺产品相提并论。除此之外，尔必达还在研发能够使用65nm工艺制造出更小的芯片产品的技术。

尔必达将于11月推出基于该颗粒的样品颗粒，年底实现量产。