GlobalFoundries制造系统与技术副总裁Tom Sonderman在Computex 2009的新闻发布会上宣布，位于纽约州的新工厂Fab 2将于今年7月份正式破土动工，并在2011年投产28nm工艺芯片，而现在45nm工艺的良品率也已经非常成熟。

目前位于德国德累斯顿的Fab 1晶圆厂将在年底全部转向40/45nm，以便为Fab 2如期进军后28nm时代做好准备，比如说2012年上马22nm工艺。

从AMD拆分出来后，作为纯代工厂的GlobalFoundries已经成为台积电的主要竞争对手。在被问及对公司未来展望时，Sonderman只是说GlobalFoundries的目标是抢在Intel之前迈入后45nm时代。从进度安排上看，两年公司都应该会在今年下半年投产32nm，不过GlobalFoundries的大规模量产还要等到明年上半年。

Sonderman还在演讲中提到，Intel虽然在2007年第四季度就已投产45nm工艺，但直到2008年第三季度才达到50％的良品率，而晚了一年投产的AMD在2009年第一季度就完成了这一跨越，只慢了半年。

Tom Sonderman

首先看几块美丽的晶圆：

45nm伊斯坦布尔晶圆

32nm SOI测试芯片晶圆

28nm SRAM Bulk测试晶圆

45nm Athlon II晶圆

下边是GlobalFoundries工厂官方介绍：

位于德国德累斯顿的Fab 1工厂群(原AMD Fab 36/38)

Fab 1由两部分组成，分别负责45nm HP SOI工艺和32nm HP Bulk工艺，后者定于今年晚些时候投产，最大生产能力每月2.5万块晶圆。

美国纽约州萨拉托加县Fab 2工厂设计图

Fab 2园区规划图：占地总面积222.45英亩(90万平方米)，其中第一单元(Module 1)大约9万平方英尺(8400平方米)，第二单元21万平方英尺(1.95万平方米)。

Fab 2总投资约45亿美元，也是300mm晶圆厂，面向32/22nm工艺，预计2012年全面上线，月产能3.5万块晶圆。

Fab 2 32nm工艺将采用“Gate First HKMG”技术，分别指栅极优先、高K材料和金属栅极。

半导体工艺技术一般都分为高性能(HP)、通用目的(GP)和低功耗(LP)三个类别，各自面向不同的应用领域，CPU、GPU等使用的都是高性能工艺。

三种工艺类型在技术重点、衬底、SRAM单元和互连方式等方面都有明显区别。

GlobalFoundries已于2008年第四季度在Fab 1内试产了32nm SRAM晶圆，此番展会上也进行了展示，而最终量产安排在2010年上半年。

45nm工艺简介：SOI衬底、最多11层金属、多晶硅栅(Poly Gate)、双重应力衬里(DSL)、栅极宽度35nm、SRAM单元面积0.432平方微米、最高20％性能提升。