Fab 2园区规划图：占地总面积222.45英亩(90万平方米)，其中第一单元(Module 1)大约9万平方英尺(8400平方米)，第二单元21万平方英尺(1.95万平方米)。

Fab 2总投资约45亿美元，也是300mm晶圆厂，面向32/22nm工艺，预计2012年全面上线，月产能3.5万块晶圆。

Fab 2 32nm工艺将采用“Gate First HKMG”技术，分别指栅极优先、高K材料和金属栅极。

半导体工艺技术一般都分为高性能(HP)、通用目的(GP)和低功耗(LP)三个类别，各自面向不同的应用领域，CPU、GPU等使用的都是高性能工艺。

三种工艺类型在技术重点、衬底、SRAM单元和互连方式等方面都有明显区别。

GlobalFoundries已于2008年第四季度在Fab 1内试产了32nm SRAM晶圆，此番展会上也进行了展示，而最终量产安排在2010年上半年。

45nm工艺简介：SOI衬底、最多11层金属、多晶硅栅(Poly Gate)、双重应力衬里(DSL)、栅极宽度35nm、SRAM单元面积0.432平方微米、最高20％性能提升。