[2.龙之精华―45nm SOI工艺]

相比前代，Dargon平台中的核心―CPU的制程升级由65nm SOI升级为45nm SOI，这也是Dragon平台得以脱胎换骨的根本原因，45nm工艺为Phenom II处理器带来了高频率、大缓存、高超频能力、低功耗等优异性能。相比65nm时代，AMD的45nm新工艺拥有三大特性： Low-K电介质、多重增强晶体管应变技术以及沉浸式光刻。

45nm SOI工艺制造的Phenom II晶圆

与Intel在45nm工艺上使用了High-K电介质不同，AMD联合IBM开发的45nm工艺继续使用了Low-K电介质，制造更简单，好处是可以降低串联电容，降低写入延迟，能量消耗也更少，这一点应归功于AMD一直使用的SOI（绝缘体上硅）技术，和传统的纯硅晶圆不同，SOI工艺使用的晶圆底部是一层绝缘层，绝缘体切断了MOS管漏电流的回路，使得基于SOI技术的芯片天生就有抵抗漏电流的能力。

多重增强晶体管应变技术则极大地提高了PhenomII处理器提高频率的潜力，上代Phenom最高频率未能突破的3.0GHz大关，在PhenomII面前只是小菜一碟。与非应变技术相比，新型应变技术可使P型晶体管的电流提高80%，N型晶体管的电流提高24%，驱动电流的提高全面带动了PhenomII处理器的频率与超频潜力。

沉浸式光刻技术原理

沉浸式光刻（Immersion lithography Illustration）工艺则是另一大亮点，通过在激光蚀刻头与晶圆之间添加去离子水来修正光的折射，间接使得光刻分辨率提高了1.44倍（晶圆制造中，分辨率越高，激光束越细，成品MOS管就越小），Phenom II的L2缓存达到2MB，L3缓存则高达6MB，不止容量提高，而且SDRAM缓存的性能也提高了15%。

沉浸式光刻（Immersion lithography Illustration）工艺使光刻分辨率提高了1.44倍（晶圆制造中，分辨率越高，激光束越细，成品MOS管就越小），PhenomII的L2缓存达到2MB，L3缓存则高达6MB。

AMD的45nm工艺为Phenom II处理器注入了新活力，以超频为例，Phenom II的最高频率已经突破7GHz，而且是四核心同时超到7GHz，新工艺的威力可见一斑。

作为Dragon平台的核心，Phenom II处理器犹如龙身上的精华，不过要想取得这颗宝物，玩家还需要为其准备好一款容身之地。