一年一度的国际固态电路会议（ISSCC）将于下周在美国旧金山召开，Intel今天则提前公布了他们在此次会议上的讨论内容。Intel今年共向ISSCC大会提交了15篇学术论文，其中包括首次官方亮相的Nehalem-EX 8核心至强处理器。

Intel表示，他们将在2月9日在ISSCC会场举办主题演讲，由公司高级技术人员Mark Bohr探讨半导体行业的发展前景。Intel认为，未来的半导体行业是SoC的时代。即随着摩尔定律的发展，处理器晶体管数量和频率的竞赛即将走到尽头，Intel将集中注意力开发高能效，高移动性的微处理器产品，诸如Nehalem或Atom这样的高能效产品代表着未来的走向。将来的微处理器将集成更多功能模块，成为一个完整的集成系统，也就是现在定义的SoC片上系统。Intel将利用其处理器设计、制造经验及庞大产能，大力推广SoC产品。

未来的SoC将集成各种无线通讯模块，包括WiFi、WiMAX、3G、蓝牙等等。Intel会在此次会议上宣布无线通讯领域的3项成果，包括将应用于60GHz无线通讯，使用45nm CMOS工艺制造的首款7bit 2.5Gb/s模数转换器，以及使用32nm CMOS工艺制造的热量传感器等。

移动设备方面，Intel将引入SIMD（单指令流多数据流）技术。在CPU或GPU中集成SIMD加速模块后，将大大提升移动设备的多媒体处理能力。Intel此次宣布的四路SIMD矢量加速单元工作电压仅300mV，能效达到494GOPS/W。

处理器方面，Intel将公布四篇有关企业级处理器的论文，分别讨论：

代号Nehalem-EX的8核心至强处理器，集成惊人的23亿个晶体管，8核16线程，9M（9金属层）45nm工艺制造，I/O带宽6.4GT/s。

代号Nehalem的45nm IA处理器，改进版Core微架构，最高8核心，45nm High-K工艺。

代号Tukwila，支持动态频率调节的四核Itanium安腾处理器，晶体管数量超过20亿，核心面积700平方毫米。

代号Dunnington的6核心至强处理器，晶体管数量19亿，采用9M 45nm CMOS工艺制造，集成9MB二级缓存，16MB三级缓存。8路系统的TPCC性能指标达到100万。