快科技10月25日消息，Intel在先进半导体工艺上终于追上来了，18A工艺已经对标台积电N2工艺，下一代的14A工艺技术指标跟台积电的A14差距在5%以内，量产进度甚至有可能提前一年半载。

只不过Intel不会停留在追赶阶段上，未来肯定想着反超台积电，毕竟过去几十年中Intel一直都是全球工艺最先进的半导体公司，只不过14nm之后被台积电抢先了。

接下来的几年中，Intel的重点是改进18A-P工艺，量产14A及14A-P工艺，High NA EUV光刻技术更成熟，解决光罩面积缩水导致的一系列问题，在产能及效率上跟台积电竞争代工市场。

再往后还有针对下一个10年到20年的技术布局，在前几天的Dwarkesh Podcast访谈节目中，Intel CTO、制程工艺负责人 Chris Auth、Jack Kavalieros等人也透露了面向2045年的技术路线。

这里面涉及多个方向的技术变化，晶体管结构会从GAA转向CFET互补场效应晶体管，该结构会把P、N垂直堆叠，进一步提高晶体管密度，但也有刻蚀、良率及散热等方面的挑战。

材料方面，随着金属线越来越窄，传统的铜线也面临电阻等方面的挑战，Intel表示希望用稀有金属钌替代铜，不过也不是所有线路都能替代，铜线依然有用武之地。

在晶体管及材料之外，芯片封装技术的地位也会愈发重要，Hybrid bonding混合键合可以做到更精细的间距，从而实现更高的带宽，也是绕不过去的技术选项。

Intel布局2045年之后的技术并不是现在才出现的，至少在2018、2019年就有过多次报道了，而2045年这个时间点也是之前IMEC比利时微电子中心公布过的芯片工艺路线图上的节点，细节比Intel这次公布的还多，那个时候至少是A2节点以内，也就是0.2nm以下，晶体管甚至还要从CFET升级到2DFET二维晶体管。

只不过这距离现在还有20年时间，很多东西变数比较多，最终能不能实现也是未知数。