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行业竞争压力加剧 铠侠另辟蹊径:推动NAND替代部分DRAM
2026-09-04 18:55:13  出处:快科技 作者:鹿角 编辑:鹿角     评论(0)点击可以复制本篇文章的标题和链接复制对文章内容进行纠错纠错

快科技9月4日消息,铠侠近日公布了一项战略规划,通过增强型NAND闪存技术替代部分DRAM功能,以深化与美国主要科技公司的合作,并应对竞争对手带来的市场压力。

铠侠存储技术负责人松寺胜树(Katsuki Matsudera)表示:“闪存需求正以前所未有的速度增长。”公司同时展出了专为AI工作负载设计的CXL(Compute Express Link)模块,该产品可大幅提升NAND闪存的数据处理速度,目前正处于客户评估阶段。

AI服务器通常配备多种内存类型:DRAM用于临时数据存储,读取速度优于NAND闪存,并与CPU协同完成计算。

然而,DRAM容量扩展困难,难以满足AI需求的快速增长,且成本远高于用于长期存储的NAND闪存,这在一定程度上制约了AI数据中心的普及。

铠侠的CXL模块旨在弥补DRAM的不足。该模块将高速NAND闪存与专用控制器结合,可将数据读取延迟降至传统NAND产品的十分之一以下,使性能接近DRAM水平。

据铠侠介绍,在系统中以CXL模块替换部分DRAM,可使内存容量翻倍,整体性能提升约30%。

此外,铠侠还展示了面向AI场景的新型固态硬盘(SSD)产品,计划于2028年开始提供读写性能增强版的样品。该SSD将连接英伟达GPU,与传统的堆叠式DRAM高带宽内存(HBM)形成互补,满足AI推理等新兴应用需求。

根据美国研究机构Gartner预测,全球内存市场规模到2026年将达8373亿美元,较上年增长3.8倍,AI驱动的需求正在快速扩容整个市场。

当前,铠侠主要专注于NAND闪存,而三星、SK海力士和美光等竞争对手同时覆盖NAND和DRAM业务,产品线更为多元。通过推出DRAM替代方案,铠侠希望在NAND之外抢占部分DRAM需求,以稳定盈利结构,降低市场波动带来的风险。

行业竞争压力加剧 铠侠出招:推动NAND闪存替代部分DRAM

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