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V6退场、V8爬坡、V9蓄势:三星存储在华产能布局连环出招
2026-05-25 17:51:51  出处:快科技 作者:于浮 编辑:于浮     评论(0)点击可以复制本篇文章的标题和链接复制对文章内容进行纠错纠错

快科技5月25日消息,据报道,三星正在加速其中国西安工厂的NAND闪存工艺迭代,目前已启动V9NAND洁净室建设,并推进V8NAND产能爬坡,同时逐步淘汰V6NAND产能。

西安工厂的V6NAND生产已进入收尾阶段,此前该厂于3月30日完成了从128层V6NAND向236层V8NAND的技术升级投资。

三星计划在今年内完成286层V9NAND的投资并进行量产准备,目标是在2027年实现全面产出。

在该过渡期内,V8NAND与V9NAND将在西安工厂并行生产。目前西安工厂承担了三星全球约40%的NAND产量。

与此同时,V10 NAND产能优先供应本土市场,后续发展仍存变数。有消息称,三星去年原本计划2026年上半年建成V10产线,并于下半年正式量产,但目前相关采购订单尚未出现实质性增长。

在全球市场表现方面,受云服务商对企业级SSD需求驱动,全球前五大NAND闪存供应商今年第一季度合并营收环比增长83.7%,总额超过389亿美元(约合2822亿元人民币)。

其中,三星第一季度NAND营收达135.1亿美元(约合980亿元人民币),环比增长104.7%,全球市场份额从28%提升至31.6%。

SK海力士与铠侠位列其后,市场份额分别为17.6%与13.9%。中国存储产业在政策与本土化供应链支持下,正向300层NAND大规模生产迈进。

V6退场、V8爬坡、V9蓄势:三星存储在华产能布局连环出招

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