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内存之后闪存也掉链子了 三星QLC被曝有质量缺陷
2025-09-18 22:40:38  出处:快科技 作者:宪瑞 编辑:宪瑞     评论(0)点击可以复制本篇文章的标题和链接复制对文章内容进行纠错纠错

快科技9月18日消息,三星多年来是全球最大的DRAM内存供应商,也是最大的NAND闪存供应商,然而这两年来的发展并不太顺利。

内存芯片方面,从DDR5时代就开始被SK海力士逆袭,HBM内存更是落后于SK海力士,以致于连续2个季度被SK海力士赶超,保持了二三十年的内存一哥让位了。

闪存方面,其他厂商现在都开始量产300层以上的TLC、QLC了,三星则被曝出QLC掉链子,其第九代V9闪存做到了280层堆栈,去年4月就开始量产,首批是TLC闪存,核心容量做到了1Tb。

2024年9月开始量产V9 QLC闪存了,但是被曝出有质量缺陷,性能、延迟都有问题,全面量产V9 QLC闪存至少推迟到了2026年上半年。

三星的旗舰级QLC闪存依然停留在V7这一代,V8这一代也没有QLC类型闪存。

QLC闪存容量更大,成本也更低一些,因此是AI时代最受欢迎的闪存,需求比TLC都要高,三星关键时候掉链子,对他们的营收和份额显然会很不利。

在QLC闪存方面,SK海力士依然是当前的记录,8月份宣布第一个量产300+层的QLC闪存,达到了321层,并且已经开始量产,而且接口速度翻倍,写入性能还提升了56%,读取性能也提升了18%。

内存之后闪存也掉链子了 三星QLC被曝有质量缺陷

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