【先进封装：全新成员加入】

除了先进的制造工艺，Intel代工的另一个技术重点就是先进封装，尤其是在先进工艺性能与能效提升越来越困难、高性能芯片需求多样化的今天，先进封装的重要性丝毫不亚于制程工艺。

目前，Intel代工有多重封装技术正在量产中，尤其是EMIB-M 2.5D、Foveros-S，而且还在持续改进。

新加入的有四中，其中，EMIB 3.5D就是之前的Co-EMIB，引入了3D封装，进一步缩小微凸点间距，还解决了芯片翘曲问题，可以实现灵活的异构系统整合，从而打造更复杂的芯片。

它可以让芯片垂直堆叠在有源或无源的基板上，再通过EMIB技术连接，增加了堆叠的灵活性，能够根据IP的特性选择垂直或水平堆叠，同时避免使用大型的中介层

Foveros 2.5D/3D技术采用基于焊料的连接方式，取代传统基板，适合高速/O与较小芯片组分离的设计。

Foveros-R 2.5D引入了基于RDL(重布线层)的中介层，在芯片表面或中介层上增加额外的布线层，通过在介电层顶部创建图案化金属层，将芯片的I/O端口重新分配到新的位置，通常是芯片边缘，从而使用保准的SMT贴片技术奖芯片连接到基板上，可以显著降低成本。

Foveros-B 2.5D引入了硅桥互连，可以提高设计灵活性，并且能够整合IVR(集成式电压调节器)、MIM(金属-绝缘层-金属电容器)。

Foveros Direct 3D全面引入了3D封装并进一步采用无凸点铜-铜直接键合，凸点间距不超过10微米，凸点密度每平方毫米超过1万个，并通过TSV将芯片整合在一起。

它可以获得超高带宽、超低互连功耗/延迟/电阻(功耗低于0.05pJ/bit)，还能减少芯片封装尺寸和重量，从而实现卓越的高性能。

Intel的下一代Clearwater Forest至强预计将会首先引入Foveros Direct 3D封装技术，搭配Intel 18A制造工艺。

Intel还强调，EMIB 2.5D封装是最适合制造AI芯片的封装技术，优势包括：EMIB桥接晶圆利用率超过90％(硅中介层/重布线层中介层只会有60％)、良率更高、适合所有封装技术、适应大尺寸芯片与复杂封装等等。

而且，它还是美国制造……

Intel还在努力将先进封装技术与光电技术结合起来(CPO)，已发展处两代技术，一是光纤直连，二是光纤封装连接。

未来，Intel还将推出3D硅光电整合封装方案，可以获得每平方毫米超过10000Gbps的超高互连带宽。

未来，Intel也将持续加大先进封装技术的投资，重点是位于俄勒冈州、新墨西哥州的美国本土工厂，前者的初期扩建今年第二季度就会完工。

在美国之外，马来一下作为Intel的重要封测基地，也有望陆续引入更先进的封装技术。

Intel 3D封装的工具链合作情况，EMIB、Foveros都已经相当完备了，Foveros Direct也会在今年第四季度彻底打通。