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台积电首次公布3nm工艺详情:FinFET技术 2021年试产
2020-04-16 21:31:41  出处:快科技 作者:宪瑞 编辑:宪瑞   点击可以复制本篇文章的标题和链接

尽管2020年全球半导体行业会因为疫情导致下滑,但台积电的业绩不降反升,掌握着7nm5nm先进工艺的他们更受客户青睐。今天的财报会上,台积电也首次正式宣布3nm工艺详情,预定在2022年下半年量产

台积电原本计划429日在美国举行技术论坛,正式公布3nm工艺详情,不过这个技术会议已经延期到8月份,今天的Q1财报会议上才首次对外公布3nm工艺的技术信息及进度。

台积电表示,3nm工艺研发符合预期,并没有受到疫情影响,预计在2021年进入风险试产阶段,2022年下半年量产。

在技术路线上,台积电评估多种选择后认为现行的FinFET工艺在成本及能效上更佳,所以3nm首发依然会是FinFET晶体管技术。

3nm节点上,台积电最大的对手是三星,后者押注3nm节点翻身,所以进度及技术选择都很激进,将会淘汰FinFET晶体管直接使用GAA环绕栅极晶体管。

根据三星的信息,相较于7nm FinFET工艺,3nm工艺可以减少50%的能耗,增加30%的性能

至于量产时间,三星之前计划在2021年量产,不过因为疫情影响,现在也推迟到了2022,但没有明确是上半年还是下半年,他们与台积电谁能首发3nm工艺还没定论。

随着3nm工艺的临近,人类正在逼近硅基半导体的极限,此前台积电有信心将工艺推进到2nm甚至1nm,但还是纸面上的,相关技术并没有走出实验室呢。

如果不能解决一系列难题,3nm工艺很有可能是未来CPU等芯片的极限了

台积电首次公布3nm工艺详情:FinFET技术 2021年试产

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