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群联推第四代Smart ECC:这下不怕QLC闪存短命了
2018-06-15 14:29:12  出处:快科技 作者:上方文Q 编辑:上方文Q   点击可以复制本篇文章的标题和链接

无论大家能否接受,TCL闪存已经成为绝对主流,QLC闪存也即将普及,因为它可以带来更高的存储密度、更低的制造成本,这都是厂商最喜欢的,尽管寿命再次大减,目前看正常情况下只有大约1000次编程/擦写循环,平均两三天才能一次全盘写入。

类似TLC,主控厂商们也需要为QLC闪存设计各种纠错辅助机制,来延长其寿命。群联电子就特别针对QLC闪存,推出了第四代数据纠错保护机制Smart ECC

群联电子表示,有了Smart ECC,当数据被写入NAND闪存内部时,主控会同时生成一组校正码,与数据一起存入,而当数据从NAND闪存读回时,如果发生错误,主控会借助校正码来更正数据。

如果校正码也无法恢复,数据就会进入Smart ECC的补救流程,借助特别设计的Smart ECC算法来尝试修正,进一步提升数据的可靠性。

群联电子同时宣布,旗下包括USB、存储卡、eMMC/UFS、SSD等闪存主控,都已经全面支持QLC闪存。

群联推第四代Smart ECC:这下不怕QLC闪存短命了

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