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东芝、西数开发的64层堆栈512Gb核心容量的TLC闪存及硬盘已经开始出货，此前三星、美光、Intel也各自发布了64层堆栈的3D NAND闪存，而SK Hynix的3D NAND闪存堆栈层数更多，去年底就推出了48层堆栈的，今年4月份更是首发了72层堆栈闪存，下一步则是96层堆栈，再往后则是128层堆栈，核心容量可提升至1Tb(238GB)。

此外，TLC闪存现在已经成为市场的主流，明年开始QLC闪存也要正式进入商业化了，而MLC闪存恐怕要步SLC闪存的后路了。

与其他厂商的3D NAND闪存相比，SK Hynix的3D NAND闪存堆栈层数更多，去年其他厂商还在堆栈32层的时候，他们就做了48层堆栈的了，今年其他厂商是64层堆栈，SK Hynix搞的的是72层堆栈，不过层数虽多，SK Hynix的3D闪存核心容量并不算高，4月份发布的72层堆栈3D闪存核心容量才256Gbit，只是其他家32层堆栈的3D NAND闪存的水平，东芝、西数及三星的64层堆栈已经可以做到512Gbit核心容量。

SK Hynix后面不仅会提升堆栈层数，容量也同样会提升。Tomshardware报道称他们下一代产品是96层堆栈的，核心容量将提升到512Gbit。当然，这也不是终点，原文称其他韩国SSD厂商（这是说三星？）将推出128层堆栈的3D NAND闪存，核心容量将提升到1Tbit。

这是什么概念？目前主流的闪存核心容量才256Gbit，1Tbit容量密度是它的四倍，也就是128GB容量，而我们在SSD上常见的NAND芯片是由多个核心组成的，即便是4个核心，那么一片“闪存”的容量也有512GB了，M.2这样的SSD上正反面至少可以布置4篇闪存，那么容量轻松达到2TB，如果内部搭配的核心更多，那么4TB、8TB也很正常。

当然，128层堆栈的3D NAND闪存可能还要一两年时间才能问世，今年主流是64层堆栈，明年会提升到96层，128层大概要等到2019年了。

除了堆栈层数之外，提升NAND容量、降低成本还有别的方式，这就是NAND一路走路的SLC、MLC、TLC以及未来的QLC闪存——SLC大家都知道它的好处，性能最强，可靠性最高，但是成本也是最贵的，MLC次之，可惜现在只在部分高端型号上才见到了，TLC闪存之前一直被人吐槽性能差、可靠性低，但是TLC闪存现在已经成为主流了，特别是在3D NAND时代。

下一步就是QLC闪存，也就是Quad bit per cell（4bit per cell），每个cell单元容纳4位数据，比TLC的3位数据还多，好处是容量更大，但缺点也跟TLC一样，都是牺牲了可靠性及写入性能，因为QLC对信号的控制要求更严格，所需的校验更多。

从这几年的情况来看，Intel、美光、三星等公司早就在研究QLC闪存了，它从实验室走入市场只是时间问题，这次的台北电脑展上给出了更具体的信息，明年的电脑展上就能见到QLC闪存了。不只是TH这么报道，我们的记者团在跟厂商交流时也得到了类似的信息，那就是QLC闪存在明年下半年就会崭露头角。

从TLC最初的遭遇来看，QLC初期肯定也会面临性能、可靠性等方面的质疑，不过成本更低、容量更大的要求使得QLC没有后退的可能，这条路没法逆转了。更加“悲剧”的则是以前大家觉得是次品的MLC闪存也会越来越稀罕，一旦QLC成熟了，MLC闪存狗带的命运也是不可避免的。

对消费者来说，其实并不需要太在意闪存类型，早前闪存可靠性之所以受人关注，除了先天的技术问题外，还有一个重要因素就是之前的SSD容量太小，而对NAND来说，容量=寿命，大家购买的容量越大，可使用时间就越长，等到QLC闪存成熟了，SSD硬盘容量估计都是TB级的，写入寿命这事并不需要这么耿耿于怀，还是要看到技术进步的。