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宜鼎国际(Innodisk)今天发布了最新款企业级SSD 3TS5-P,采用3D TLC闪存,但是符合JESD219标准,拥有超高的耐用性和寿命。 我们知道,一般基于3D TLC闪存的消费级SSD,每天全盘写入(DWPD)次数仅
近段时间以来,SSD的价格一路走跌,低于1元/GB的硬盘比比皆是,甚至几毛钱/GB的都大有人在,即便如此,很多朋友在选购SSD的时候仍然会纠结,比如是买M.2接口的还是SATA接口的?是买TLC颗粒还是Q
SLC、MLC、TLC、QLC……一路发展下来,存储密度和容量越来越高,成本越来越低,但是性能、可靠性、寿命却是越来越短,只能不断通过闪存、主控的各种优化来维持。 虽然很多人抗拒TL
一款产品要获得大众的认可,通常要在技术和性能、价格之间达到一个很好的平衡,硬盘从SLC、MLC、TLC、QLC……不同闪存规格一路走下来,性能强劲并不是第一选择,在价格走低,相关工
由于被美国商务部制裁,华为的供应链面临断供的风险,特别是美国公司的芯片及软件,除了CPU、射频、网络芯片之外,华为的闪存芯片也会受到压力,智能手机、服务器、基站等产品中都会用到大量NAN
对于闪存芯片,很多硬核玩家只想要MLC,什么TLC、QLC统统看不上,但行业形势就这样,MLC基本已经见不到了,但另一方面,TLC、QLC做好了同样也能堪大用,企业级数据中心同样能适应。 台北电脑展
金士顿刚刚发布了最新一代消费级旗舰SSD,型号“KC2000”,取代已经两年的KC1000,提升幅度巨大,足以证明TLC闪存也能担当大任。 金士顿KC2000是标准的M.2 2280规格,首批采用东芝/闪
金士顿向企业级SSD市场进军了,奉上了最新的Data Center 500系列固态硬盘产品,包括DC500R、DC500M两个序列,分别专注于读取密集型和混合负载应用。 金士顿DC500系列是标准的2.5寸规格SATA SSD
3D NAND技术诞生后,颗粒厂商们就开始在堆叠层数上做文章,目前最前沿的工艺是96层,不过,更狠的来了。 据悉,东芝和合作伙伴西部数据已经完成了128层3D NAND Flash芯片的开发,预计商用名会是
美光近日悄然发布了1300 SSD,取代此前的1100系列,最大变化就是3D TLC闪存堆叠层数从32层跃升到了96层。SSD市场上,美光品牌主打OEM,旗下英睿达(Crucial)则面向零售。此前的美光1100和英睿达M
本周四,英睿达(Crucial,美光的消费级品牌)更新了旗下入门级SSD BX500的阵容,新增960GB容量(型号CT960BX500SSD1),BX500此前最高480GB。 规格方面,BX500设计为2.5寸7mm形态,SATA3接口。
板卡存储大厂影驰宣布,旗下ONE 240GB SSD固态盘历时3个半月、持续109天的考验,顺利完成了耐久度测试,数据总写入量达到715.5TB,期间无任何数据出错。 我们知道,NAND闪存有写入寿命的限制,
本文经超能网授权转载,其它媒体转载请经超能网同意 随着64层堆栈3D NAND闪存的大规模量产,全球6大NAND闪存厂商今年都开始转向96层堆栈的新一代3D NAND,几家厂商的技术方案也不太一样,
大伙儿关心的内存和SSD产品价格在年内有望继续迎来一波减价。 据TrendForce旗下的DRAMeXchange发布的最新报告显示,本应该是购物旺季的Q4,DRAM芯片和NAND Flash芯片的合约采购价均呈现疲软的态
2017年开始,NVMe协议M.2固态硬盘产品大量出现,逐渐取代了SATA协议固态硬盘,成为众多装机用户的首选存储方案。 同时,随着硬盘产品价格回落,大容量固态硬盘的价格逐渐来到合理价位,再加上现
Ultimate SU800系列是威刚2016年发布的主流级SATA SSD,主要竞争三星850 EVO,同时也是首批采用3D TLC闪存的产品之一,容量128GB起步,最大到1TB。 两年过去了,SU800系列依然活跃在市场上,威
西部数据悄然推出新款2.5寸数据中心级SSD,Ultrastar DC SS530系列。 Ultrastar其实原来是昱科(HGST)旗下的,比如上一代产品SS300,但西数提出弱化HGST品牌后,连包装上也没HGST什么事儿了。
最近,Intel、美光、西部数据、东芝纷纷宣布了各自(或合作)在96层堆叠闪存、QLC闪存方面的进展,而作为全球第一大闪存厂商的三星电子也不甘示弱,早先已经宣布量产96层堆叠第五代V-NAND闪存,并
对于固态硬盘来说,“技术更新”很大程度上可以说是贬义词,颗粒的技术迭代都会直接导致写入寿命下滑,性能下降。 3D TLC是目前较新一代的技术,虽然厂商都在把3D TLC当神主牌吹上
三星电子宣布,已经开始批量生产第五代V-NAND 3D堆叠闪存,同时拥有超大容量和超高速度。 三星第五代V-NAND采用96层堆叠设计,是目前行业纪录,内部集成了超过850亿个3D TLC CTF闪存存储单元
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