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摩尔定律失效:Intel坚守14nm 八代酷睿挤超级牙膏
2017-03-25 12:19:52  出处:超能网  作者:bolvar 编辑:雪花   点击可以复制本篇文章的标题和链接

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Intel联合创始人之一的戈登·摩尔提出了著名的摩尔定律,50多年来这个黄金法则主导了硅基半导体的发展规律,Intel也是摩尔定律最坚定的捍卫者。

不过从14nm节点开始,依托于摩尔定律的Intel Tick-Tock战略就已经变了,升级周期从2年变成3年,14nm工艺实际上要战四代处理器了(8代酷睿的性能将比Kaby Lake提升15%,依然采用的是14nm工艺)。

尽管Intel一直嘴硬说摩尔定律未灭,但传统半导体这几年内确实面临着很大挑战,IRDS(设备与系统国际路线图)日前发布的一份报告则给CMOS电路判了死刑——2024年它就会终结了。

IRDS是IEEE电子和电子工程师协会设立的一个组织,从1965年开始每年都会发布一份半导体领域中技术路线图,之前叫做ITRS路线图,去年被IEEE重命名为IRDS,这样可以更全面地反应各种系统级新技术。

本年度的IRDS路线图完整版要到11月份才会发布,现在发布是白皮书,但是这次的报告已经足够引起轩然大波了,因为它预测传统CMOS电路在2024年就要终结了,这又是怎么回事呢?

Intel从22nm工艺、TSMC/三星/GF则是从16/14nm节点开始使用FinFET工艺,今年的工艺会发展到10nm,下一代则是7nm,TSMC、三星还提出了5nm工艺路线图,Intel这边就比较谨慎,5nm进展尚未公布。

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从IRDS路线图中可以看到,2015年16/14nm节点开始进入FinFET工艺,一直到2021年下下代的5nm节点FinFET工艺都会存在,但是2019年就会开始应用新的GAA(gate-all-around,环绕栅极)晶体管结果,2024年的4/3nm节点则会完全取代FinFET结构,这也是为什么这份报告出来之后引起热议的原因,它代表着传统CMOS电路在2024年走到尽头了。

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从2024年开始,未来的半导体工艺虽然还会有2.5nm、1.5nm线宽之分,但是再看下后面的红字部分,这几种新工艺的栅极距等指标是没有变化的,也就是说晶体管并不会一直缩小,在5nm节点就已经没啥变化了。

CMOS电路在2024年终结不代表半导体技术就没有发展了,IRDS白皮书中也提到了新的发展方向,包括使用新的半导体材料和工艺,比如使用Ge(锗)取代硅基半导体,它的电子迁移率比硅更高,电气性能更好。还有就是3D工艺,这跟目前的NAND闪存发展过程有些相似,平面NAND闪存在16/15nm节点之后就步入瓶颈期,但是厂商开发了3D NAND闪存,未来的逻辑半导体芯片也会走上3D堆栈工艺

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