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掀翻Intel 3D XPooint闪存!三星Z-SSD曝光:真牛
2017-03-18 11:12:58  出处:超能网  作者:bolvar 编辑:雪花   点击可以复制本篇文章的标题和链接
 
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2年前Intel、美光发布的3D XPpoint闪存打破了存储市场的平静,凭借1000倍的性能、可靠性以及10倍的存储密度提升被称为黑科技闪存。只是3D XPpoint闪存在上市进度上不尽如人意,Intel基于3D XPpint闪存推出的消费级及企业级Optane硬盘虽然不乏亮点,但与当初的宣传相比实在有点不够看。

Intel要用3D XPpoint闪存革了NAND闪存的命,市场一哥三星自然也不能坐视不管,他们也有自己的杀手锏——Z-SSD系列,它将使用全新的Z-NAND闪存,硬盘容量可达4TB。

实际上Intel的3D XPpoint公布没多久,三星就在去年的FMS闪存会议上公开过Z-SSD系列硬盘,号称性能超越了现有NAND闪存极限,不过三星没有给出具体指标,只说其性能比PM963更强,延迟低了4倍,读取速度是后者的1.6倍。

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当时宣传资料说Z-SSD系列会使用第四代V-NAND,也就是64层堆栈的V-NAND闪存,不过这种闪存跟普通NAND闪存也有不同,三星用了Z-NAND的新名字命名,它的特性介于DRAM内存和NAND闪存之间,也就是说性能比NAND闪存更强,但比DRAM又有非易失性的特点,听上去就跟Intel的3D XPoint闪存很相似。

三星去年公布的Z-SSD并没有具体实物,Anandtech网站报道称在Cloud Expo欧洲展上,三星展示了一款Z-SSD硬盘,如上图所示。这款硬盘使用的是PCI-E 3.0 x4接口,容量800GB,连续读写速度可达3.2GB/s,随机读写可达75万、16万IOPS,延迟(原文推测具体是指读取延迟)比NVMe硬盘低了70%,这可能是得益于新的Z-NAND闪存,也可能是因为新的主控。

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他们从三星处得知Z-SSD硬盘具备比普通NAND硬盘高得多的耐用性,特别是每cell单元存储更少的数据时——这里大概是说Z-SSD正常可能也是TLC(3bit per cell)类型的,但也可以使用MLC类型(2bit per cell),这时候的使用寿命会更高。

至于这个全新的Z-NAND闪存,三星还是没有公布具体细节,但综合此前的消息来看,Z-NAND闪存应该是在V-NAND闪存上进行结构改进的产物,官方表示它有独特的电路设计,配套的主控也是改进过的,所以性能比普通NAND闪存好得多,延迟低得多。

三星到Z-NAND闪存显然有跟Intel 3D XPoint闪存叫板的资格,至于Z-NAND闪存是不是也跟后者一样是全新技术就不好说了,因为Intel迄今也没有公布过3D XPoint闪存原理,之前分析认为的PCM相变闪存等说法只是猜测。

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三星表态Z-SSD系列硬盘容量可达2TB、4TB,只不过目前展示这款容量还是800GB的,不过算上OP空间,它实际上很可能是1TB容量的。作为对比的是,Intel在消费级、企业级提供的Optane硬盘目前分别是16-32GB、375GB,至少在容量上三星的Z-NAND闪存会胜出。

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