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高通正式发布“快速充电3.0”!速度无敌了
2015-09-15 11:53:59  出处:快科技 作者:朝晖 编辑:朝晖   点击可以复制本篇文章的标题和链接

在宣布骁龙430、617的两款新品的同时,高通今天还发布了新一代快速充电技术:Quick Charge 3.0,号称比上一代效率提升38%,快速充电速度最高达27%,同时帮助保护电池寿命周期

据高通介绍,Quick Charge 3.0首次采用了“最佳电压智能协商”(Intelligent Negotiation for Optimum Voltage,INOV)算法,可在任意时刻实现最佳功率传输,且最大化效率。

据了解,Quick Charge 3.0能在大约35分钟内将一部典型的手机从零电量充电至80%,而不具备Quick Charge的传统移动终端通常需要大致一个半小时的时间。相比两代产品:

1、与Quick Charge 2.0相比,提高快速充电速度最高达27%,或减少功率损耗最高达45%。

2、比Quick Charge 1.0快2倍的充电速度。

充电电压方面,Quick Charge 2.0提供5V、9V、12V和20V四档充电电压,Quick Charge 3.0则以200mV增量为一档,提供从3.6V到20V电压的灵活选择。这将允许手机获得恰到好处的电压,达到预期的充电电流,从而最小化电量损失、提高充电效率并改善热表现。

此外,Quick Charge 3.0能够与Quick Charge之前的版本及充电器(包括USB Type-C)前向和后向兼容,并且拥有同样的超快充电速度,以及独立电路,为OEM厂商提供更灵活的选择,还有帮助达到质量和安全标准的UL认证。

首批支持Quick Charge 3.0技术的处理器包括骁龙820、骁龙620、骁龙618、骁龙617和骁龙430,终端预计明年上市

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