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极紫外光刻2015年商用:目标10nm
2013-10-31 16:43:16  出处:快科技 作者:上方文Q 编辑:上方文Q     评论(0)点击可以复制本篇文章的标题和链接

全球最大的半导体制造设备供应商荷兰ASML今天重申,极紫外(EUV)光刻技术将在2015年如期投入商用,各大半导体厂商都在摩拳擦掌。

ASML首席执行官兼总裁Peter Wennink公开表示:“NXE:3300B极紫外光刻扫描仪的整合工作正在稳步进行。我们的目标依然是明年达到每小时70块晶圆的产量,2015年还可升级到125块。从过去几个季度的进展看,客户们已经加强了与我们的合作,不断调配投资和资源,准备10nm节点上应用极紫外光刻。”

ASML计划在今年底出货首批三台NXE:3300B光刻机,其中一台年内即可带来收入,另外两台得明年初。2015年的出货量将达到12-30台。

极紫外光刻机最大的问题是光源功率不够,目前只有55W,每小时只能产出43块晶圆。如果要实现明后年的预定目标,特别是后年投入商用,首先得提高到105W,而最终需要多高还没有完全确定。

另据称,尽管经济环境一般,Intel、台积电、三星、GlobalFoundries等客户都加大了半导体设备采购力度,ASML也会在今年第四季度批量出货20nm、16nm、14nm工艺的相关制造设备

极紫外光刻2015年商用:目标10nm

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