Liquid Ultra液态金属硅脂。

薄薄地涂一层。不能涂太厚，否则反而会影响散热效果。

装回顶盖的时候有个小技巧，可以在核心周围粘一些双面胶，受压力和受热后还会让PCB、顶杆粘得很牢，再次开盖也会很容易。

最后擦干净顶盖上的硅脂和黑胶，盖回，大功告成。

上机，准备测试。

测试运行20分钟的Prime 95 27.9 Blend模式，第10分钟起开始记录温度，20分钟之后截图。Small FTT模式固然会让温度更高，但是开盖前直接就100度了，会自动降频，就不能和开盖之后公平对比了。

开盖前：烧机20分钟，四个核心各自平均温度为78.5、78.4、78.2、77.1℃，RealTemp录得最高温度为88℃。

开盖后：烧机20分钟，四个核心各自平均温度为63.1、65.5、66.2、65.9℃，RealTemp录得最高温度为73℃。

对比图：很明显了，至少这一颗4770K开盖换硅脂后核心温度大幅降低了12-15℃，平均只有65℃左右，最高也只有70多，再次证明了Intel的坑爹做法。

此外，开盖之后可以稳定跑4.5GHz。Vccin 2V、Vcore 1.315V下拷机20分钟温度最高也只有80℃，而开盖前很快就会90℃。

不管怎么说，22nm 3D晶体管工艺虽然先进，但是直接导致晶体管和内核太小、太集中，反而不好散热，这是新工艺不可避免的缺陷，而且估计会在下一代14nm上更加严重(不知道Broadwell跳票到2015年是否与此有关)。

Intel偏偏此时又放弃钎焊，改而在内核与顶盖之间使用廉价硅脂，进一步影响了散热，导致温度偏高、超频困难，不知道怎么想的。

总之，虽然这次只是个例测试，但已经足以证明老毛病依然在Haswell上存留。至于该怎么办，如果你只是普通用途，就不要纠结了，日常没什么影响的，但如果你想大幅超频(这个还不如去用工程样品)，或者经常执行高负载任务、对温度很敏感，又或者有完美主义强迫症，又或者喜欢折腾和冒险，那就勇敢地去开吧骚年。