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手机4GB内存有望:SK海力士首发8Gb LPDDR3
2013-06-11 10:58:08  作者:朝晖 编辑:朝晖   点击可以复制本篇文章的标题和链接
 
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全球二十大半导体厂商之一的韩国SK海力士日前宣布,目前已经完成8Gb LPDDR3低功耗内存芯片的研发,已经将样品提供给合作伙伴,预计将于年底量产。这是业界内LPDDR3内存首次达到8Gb容量,未来为高端智能手机带来更强悍的性能表现。

此前三星曾宣布开始生产4Gb LPDDR3内存,采用20nm工艺制程打造,宣称可媲美PC中使用的标准型内存的性能水平。此次SK海力士的8Gb LPDDR3同样使用20nm工艺,并将容量翻了一倍,而且相比之下封装厚度进一步降低,同一封装下可堆叠四颗芯片(容量可达到32Gb,即4GB容量)。

速度上,芯片每根引脚的传速速率可达2133Mbps,并拥有32bit的I/O总线,单通道带宽可达8.5GB/s、双通道17GB/s,性能是此前移动内存标准LPDDR2 800Mbps的2倍以上。此外,和30nm的LPDDR3相比,性能提升30%,功耗降低20%。

此外,新的8Gb LPDDR3将提供多种封装格式,可使用PoP、eMMC等目前移动设备常用的规格。

LPDDR3是目前最快移动内存芯片,主要应用与高端智能手机上(比如Galaxy S4),此次SK海力士推出的8Gb LPDDR3有望将未来智能手机的内存容量提升到4GB

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