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八核/1.35GHz/40W!龙芯3B跨越进化32nm工艺
2012-11-21 11:50:28  作者:上方文Q 编辑:上方文Q   点击可以复制本篇文章的标题和链接
 
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明年二月的国际固态电路会议ISSCC 2013上,中科院的专家们将再次登台,介绍新版本的龙芯3B处理器,采用32nm工艺制造,性能大大提升。

去年的大会上,中科院分享的八核心龙芯3B还是65nm CMOS LP/GP工艺造的,包含5.826亿个晶体管,核心面积299.8平方毫米,最高频率1.05GHz,单/双精度浮点峰值性能256/128GFlops,功耗40W。

新的“龙芯3B1500”(英文名Godson-3B1500)会将制造工艺升级到32nm HKMG,在维持40W功耗的前提下主频可以提升到1.35GHz,再加上功耗和电路方面的优化、增强,双精度浮点性能能够升至172.8GFlops。

根据路线图,龙芯3系列未来还会有龙芯3C28nm工艺制造,8-16个核心,主频1.5-2.0GHz,双精度浮点性能可达512GFlops。

1.35GHz/40W!龙芯3B进化32nm工艺
龙芯路线图

ISSCC 2013上的其它一些看点还有:

Intel:

可扩展的64-lane芯片间互联,总带宽1Tb/s,使用多个2-16Gb/s的通道,能效0.8-2.6pJ/b,32nm CMOS工艺,总线级总功耗仅有2.6W,其中还使用了其它公司的多项技术。

NVIDIA:

20Gb/s带宽的内核间串行互联,28nm CMOS工艺,电压0.9V,能效0.54pJ/b。可能会是丹佛工程的一部分,用来连接ARM CPU核心、GeForce GPU核心。

德州仪器/麻省理工学院:

200MHz视频解码器,支持新的H.265视频编码标准(High Efficiency Video Coding),每秒可处理2.49亿个像素,最高分辨率3840×2160,而电压仅为0.9V,功耗区区76毫瓦。

瑞萨电子:

28nm工艺的移动SoC,双核心1.5GHz;LTE/HSPA+基带;图形加速器;功耗管理单元。

当然,还有三星的big.LITTLE A15+A7双重架构处理器。AMD、IBM、Oracl则e会分别介绍Jaguar美洲虎低功耗架构、zSeries大型机、Sparc T5处理器,都在今年八月的HotChip上露过面。

1.35GHz/40W!龙芯3B进化32nm工艺
龙芯3B内核与架构图

 

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