【可靠性测试：离奇悬案】

Intel宣称20nm闪存的编程/擦写循环和25nm的一样也是3000次。一般来说，这个是很难实际验证的，较真的话得花几个星期乃至数月。幸运的是，Intel的新版SSD Toolbox可以报告闪存写入量和剩余寿命比例，只要看S.M.A.R.T.属性里的F9 Total NAND Writes(闪存写入总量)、E9 Media Wearout Indicator(媒体损耗指示器)即可，后者的初始值为100，寿命耗尽的时候就是0了。

AnandTech在进行完所有常规测试后发现，MWI只有92了，而此时才写入了不过1.2TB数据。Intel的固态硬盘样品从来没有这么低过，原因可能有三：固件bug、出厂前已经进行了密集测试、可靠性太差。

为了赶在正式发布前尽量写入更多数据，测试人员首先填满了不可压缩数据，然后以32的队列深度写入不可压缩的4KB随机数据。SandForce主控会进行实时数据压缩和复制，所以使用不可压缩数据是短时间内考验NAND闪存的最佳方式。

经过11个小时、另外3.8TB的数据写入之后，MWI掉到了91。作为对比，SSD 330 60GB写入了7.6TB之后仍然停留在100。SSD 335 240GB理论上应该更可靠才对。 

继续测试，又经过了105个小时，总计写入了37.8TB数据之后，WMV只剩下了79，换句话说就是用掉了13％的编程/擦写循环。

照此趋势，只要250TB数据的写入就能把MWI弄到0，只相当于不到1000次编程/擦写循环，不足理论寿命的三分之一。

AnandTech将此反馈给Intel，后者也是大吃一惊，表示送测样品是一切正常的，没有任何问题，同时也确认SSD 335的确应该有3000次编程/擦写循环的寿命。Intel收走了样品，并说会进行深入检查。

即便都标称3000次编程/擦写循环，20nm闪存如果寿命略短于25nm的也是可以理解的，毕竟25nm已经很成熟，20nm才刚起步。记住，标称的编程/擦写循环次数是闪存最起码应该达到的，事实上应该更长才对。

至于究竟发生了什么，只能等待更多测试之后再下结论了，希望只是个体缺陷或者固件问题。