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美光用IBM工艺投产3D内存芯片 提速15倍
2011-12-02 14:59:34  作者:上方文Q 编辑:上方文Q   点击可以复制本篇文章的标题和链接
 
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IBM、美光今天联合宣布,将会借助蓝色巨人在全球率先投入商用的TSV(硅穿孔)工艺技术,制造美光开发的混合存储立方体(HMC)内存芯片,号称可在速度上比现有内存芯片快最多15倍。

HMC芯片使用垂直管道(或者说穿孔)将多个独立芯片堆叠封装在一起,产品原型的带宽就已高达128GB/s,最终成品还会更高,而目前普通内存最高也不过12.8GB/s。与此同时,HMC能够将芯片的封装尺寸减小最多90%,同时传输数据消耗的能量也减少70%。

IBM新开发的3-D TSV制造工艺正好就是用来连接3D微架构的,将成为HMC内存投入商业性量产的基础。

IBM会在纽约州东菲什基尔(East Fishkill)的工厂,采用32nm HKMG工艺制造美光HMC内存芯片,而有关其TSV技术的更多细节将在近日的IEEE国际电子设备会议上公布。

HMC内存初期面向大规模网络、高性能计算、工业自动化等专业领域,但最终会争取进入消费级产品。

美光用IBM工艺投产3D内存芯片 提速15倍

 

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