下一步的32nm工艺会把High-K介质和金属栅极技术发展到第二代，还有第四代应变硅技术，可将晶体管体积缩小大约30％，栅极厚度也再次薄到0.9nm，特别是Intel还会在关键层上首次使用沉浸式光刻技术，类似AMD在当前45nm工艺上的应用。

Intel还声称，从45nm到32nm可带来超过22％的性能提升。

这22％的指标是哪儿来的？根据NMOS、PMOS晶体管泄漏电流和驱动电流的对比，32nm的能效相比45nm会有明显提高，要么能在同样的漏电率下提高晶体管速度(14-22％)，要么能在同样的速度下降低漏电率(5-10倍)。

每次投产新工艺之前，半导体厂商都会在使用SRAM进行测试，而Intel的第一颗32nm SRAM芯片在2007年9月就已经完成，晶体管数量超过19亿个，单元面积0.171平方微米，容量291Mb，运行速度4GHz。

每一轮工艺升级，SRAM芯片的面积都会减小一半，比如在45nm时代是0.346平方微米(AMD的是0.370平方微米)。

我们之所以今天就能领略到Intel 32nm工艺的风情，一个关键原因就是其成熟度已经相当高。下边这张缺陷密度图就显示了90/65/45/32nm工艺单位面积硅晶圆上缺陷数量随时间的变化趋势，也只有曲线降低到一定程度之后才可以批量投产。看看32nm的曲线就很明显了。