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尽管日本严格管制半导体材料多少都会影响三星的芯片、面板研发、生产,但是上周三星依然在日本举行了“三星晶圆代工论坛”SFF会议,公布了旗下新一代工艺的进展,其中3nm工艺明年就完
台积电董事会已经批准了大约65亿美元(折合人民币460亿元)的资本拨款投资,将用于新工艺研发与升级、新工厂建设与产能扩充等等。 台积电上个月曾披露,今年的资本支出总额将超过110亿美元,高于
尽管日韩贸易冲突持续延烧,三星电子原定9月在日本东京的晶圆代工论坛将如期举行。三星届时预料将展示自家先进制程技术,并提供用于生产3纳米以下芯片,名为「环绕闸极」(GAA)技术的制程套件。
在日本的2019 VLSI Symposium超大规模集成电路研讨会上,台积电宣布了两种新工艺,分别是7nm、5nm的增强版,但都比较低调,没有过多宣传。 7nm工艺的增强版代号为“N7P”(P即代表性能
本月4日起,日本宣布管制对韩国出口光刻胶、氟化聚酰亚胺和氟化氢这三种重要原材料,此举使得韩国面板、半导体两大支柱行业面临危机,三星等公司更是急于获得稳定的原料来源,否则旗下的存储芯片
如今在半导体工艺上,台积电一直十分激进,7nm EUV工艺已经量产,5nm马上就来,3nm也不远了。 台积电CEO兼联席主席蔡力行(C.C. Wei)在投资者与分析师会议上透露,台积电的N3 3nm工艺技术研发非
集成电路设计自动化软件领导企业新思(Synopsys)近日宣布,面向三星7LPP(7nm Low Power Plus)和更先进工艺的良率学习平台设计取得最大突破,也为三星后续5nm、4nm、3nm工艺的量产和良品率奠定了坚
作为全球晶圆代工市场的一哥,台积电一家就占了全球50-60%的份额,几乎吃下所有7nm先进订单。不过今年遇到了半导体市场熊市,台积电Q1季度营收、盈利也不免受影响下滑,净利润暴跌了32%。不过台
在智能手机、存储芯片业务陷入竞争不利或者跌价的困境之时,三星也将业务重点转向逻辑工艺代工。在今天的三星晶圆代工SFF美国分会上,三星宣布四种FinFET工艺,涵盖了7nm到4nm,再往后则是3nm G
在半导体晶圆代工市场上,台积电TSMC是全球一哥,一家就占据了全球50%以上的份额,而且率先量产7nm等先进工艺,官方表示该工艺领先友商一年时间,明年就会量产5nm工艺。在台积电之外,三星也在加
3月28日,Intel在京举办一年一度的媒体纷享会,全景介绍了Intel面向未来的公司战略,技术和产品方面也披露了不少干活,比如大家非常关心的制程工艺。 制程工艺、封装技术被Intel视为公司发展的
本文经超能网授权转载,其它媒体转载请经超能网同意 持续两年多的DRMA内存芯片涨价今年10月份就结束了,遭受涨价之苦的下游厂商及消费者总算可以舒口气了,花旗集团日前给出的预测是明年DRAM内
本文经超能网授权转载,其它媒体转载请经超能网同意 随着三星宣布7nm EUV工艺的量产,2018年EUV光刻工艺终于商业化了,这是EUV工艺研发三十年来的一个里程碑。不过EUV工艺要想大规模量产还有很
雷锋网消息,三星最近在日本举办了三星铸造论坛2018(Samsung Foundry Forum 2018,SFF),发布了几个重要的信息。 除了重申计划在未来几个季度开始使用极紫外光刻(EUVL)开始大批量生产(HVM
日前,三星在日本举办了三星铸造工厂论坛(SFF)2018年会,更新了技术路线图。 简单来说,主要有三点,一是基于EUV技术的7nm制程工艺会在接下来几个季度内大规模量产(初期EUV仅用于选择层),
芯片代工行业在制程迈入10nm以内后,面临的成本压力也越来越高。 据SemiEngineering报道,IBS的测算显示,10nm芯片的开发成本已经超过了1.7亿美元,7nm接近3亿美元,5nm超过5亿美元。如果要基于
三星不愿在7nm上使用DUV(深紫外)的过渡工艺,而是直接切入EUV,所以风险试产今年底才能开始,量产最快也要明年下旬了。不过,台积电和GF则思路有所不同,准备先用第一版7nm吸引客户,随后再导
1月26日,台湾南部科学工业园区(STSP),台积电的Fab 18晶圆厂一期工程顺利奠基。这是台积电在台湾的第四座300mm晶圆厂,也将首次投产5nm新工艺。 台积电计划2019年第一季度完成新工厂的建设,并
据台湾媒体报道,台积电将于本周在台湾南部科学工业园区(STSP)开工建设新的5nm工厂,并将于2020年启动3nm工厂,而新工艺的快速演进将大大巩固台积电一号代工厂的地位。 台积电董事长张忠谋会出
摩尔定律是半导体的经典理论之一,提出者是Intel联合创始人戈登摩尔,他断言“大约每两年,晶体管密度就会增加1倍”。 在今年9月份的“精尖制造日”上,Intel对外重申,摩
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