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GTC为业界领先的高频驱动设计和制造厂商,其半桥驱动芯片GT7753以其在高频驱动的优越表现,在工业和军工产品中被广泛应用。 目前GTC基于南芯的SC8703升降压IC和EPC第三代半导体EPC2045设计出业
2019年9月17日,OPPO在深圳举办2019 VOOC闪充技术沟通会,正式发布VOOC闪充家族的三大最新技术:VOOC 4.0、SuperVOOC 2.0以及30W无线VOOC闪充。 其中,SuperVOOC 2.0最大充电功率达到65W,并将
说起氮化镓在USB PD快充充电器中的应用,我们就不得不提到RAVPower这个品牌,这是一家知名的跨境电商品牌,主营消费类电源配件,在美国市场拥有很高的知名度。 同时,RAVPower也是较早推出氮
8月23日,在充电头网举办的2019(秋季)USB PD&Type-C亚洲展上,深耕于高压集成电路高能效功率转换领域的知名公司Power Integrations发布了内置氮化镓功率开关的InnoSwitch-3系列IC,命名为Pow
2019年8月18日,Baseus倍思在深圳举办了“2019倍思旗舰新品发布会”。会议现场,Basues倍思发布了数款新品,产品类别覆盖了手机保护、消费品扩展、车载用品、充电器、音频、照明等数个
氮化镓GaN FET是目前全球开关速度最快的功率器件之一,因其开关损耗小, 在开关速度很高的情况下仍保持高效率水平,同时可搭配更小的变压器,从而让充电器尺寸大幅度缩小,提升用户的使用体
今年3月,使用氮化镓功率器件的ANKER 30W GaN PD 1充电器终于在国内上市,圆润小巧的体积却拥有30W输出功率,收获好评如潮。 今天,ANKER再次上架了一款全新的氮化镓充电器ANKER PowerPor
台北电脑展上,鑫谷展示了全新旗舰产品,昆仑概念版电源,联合上游半导体大厂英诺赛科(珠海)科技有限公司打造,是中国电源品牌首次引入氮化镓半导体(GaN FET),而且在低压侧+12V、+5V、+3.3V全线
台北的五月皎阳似火,滚滚热浪将肉眼可见的光线变得弯曲涨裂,如置身于凤凰涅槃的火海。而更让人心潮激荡的是,COMPUTEX TAIPEI台北国际电脑展将在5月28日正式拉开帷幕,一年一度的硬件盛宴即将
随着技术的发展,终端设备对于半导体器件性能、效率、小型化要求的越来越高,特别是随着5G的即将到来,也进一步推动了以氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体材料的快速发展。一、GaN的神奇1、GaN是
GaN中文名氮化镓,是一种新型半导体材料,它具有禁带宽度大、热导率高、耐高温等多种优点,被誉为第三代半导体材料。 早期的氮化镓材料被运用到通信、军工领域,随着技术的进步以及人们的需求
此前,我们见过了30W、45W、65W的氮化镓USB PD充电器,但都是单USB-C接口的,今天从供应链获悉了一款双USB-C口氮化镓充电器,总功率69W。从爆料的图片上可见,该充电器具有三个USB充电输出接口,
氮化镓(GaN)被业界称为第三代半导体材料,应用范围非常广,包括半导体照明、激光器、射频等,而用在充电器上可在超小体积上实现大功率输出。 不久前,Anker推出了全球首款采用氮化镓材料的充电
氮化镓(GaN)被业界称为第三代半导体材料,被应用到不同行业的产品上。一般运用了氮化镓功率器件的产品在体积重量上会更为小型、轻薄化,这点在充电器上尤为明显。 因为成本、技术的原因,目前
近日,在深圳会展中心举办的深圳国际电子展上,英诺赛科(珠海)科技有限公司市场销售副总裁参加“2018(冬季)中国USB PD快充产业高峰论坛”分享了“8英寸硅基氮化镓在快充应用
氮化镓,分子式GaN,英文名称Gallium nitride,是一种氮(V)和镓(III)的III-V族化合物,直接带隙(Direct Bandgap)(直接跃迁型)的半导体材料,具有带隙宽(室温下,Eg=3.39eV)、原子键强
在近日的业内电源展会上,英飞凌公布了最新的氮化镓材料应用,一款功率为65W的USB PD充电器。 它的功率器件采用了第三代半导体材料氮化镓(GaN),由英飞凌自家研发生产,称之为“CoolGaN&r
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