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  HBM王座要换人！三星明年反超SK海力士：市占率冲40%

  快科技10月12日消息，据报道，随着HBM4价格上涨以及内存制造商竞相争夺有限的DRAM产能，三星电子有望在2027年超越SK海力士，成为全球最大的高带宽内存供应商。 这一预测来自瑞银最新报告。瑞银

  2026-10-12 15:560000

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  三星发布全球首款UFS 5.0闪存：速度10.8GB/s、能效提升40%

  快科技6月23日消息，三星电子宣布已开发出业界首款通用闪存存储（UFS）5.0产品系列，专为设备端AI优化，可支撑设备内部高速AI计算处理。 UFS 5.0基于三星第九代V-NAND（V9）闪存技术开发，遵循

  2026-06-23 12:273610

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  三星西安厂236层堆叠3D NAND正式量产：最新286层年内落地

  快科技3月30日消息，据韩媒ETNEWS报道，位于西安的三星电子NAND晶圆厂已正式实现V8（236层堆叠）3D NAND闪存的量产。 本次制程升级工作自2024年启动，在原有V6（128层）NAND生产线基础上完成技

  2026-03-30 17:0366300

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