作者私密文章，无浏览权限
因版权限制，过往内容只提供给老鸟级别及以上用户访问
快科技12月12日消息，据韩国媒体报道，由于三星电子的8层和12层堆叠HBM3E内存样品性能未能达到英伟达的要求，今年内正式启动供应的可能性变得非常渺茫，实际供货预计将推迟至2025年。 报道指出
快科技11月4日消息，在今天的SK AI峰会上，韩国存储巨头SK海力士展出了全球首款48GB 16层HBM3E产品，容量和层数均为业界最高。 SK海力士CEO Kwak Noh-Jung表示，16层HBM市场预计将从HBM4开始兴
本周四，韩国SK海力士宣布，已开始量产全球首款12层HBM3E产品，容量为36GB，这是迄今为止现有HBM的最大容量。 SK海力士声称，12层HBM3E产品在速度、容量和稳定性方面均达到全球最高标准。该公司
快科技9月10日消息，美光官方宣布，已经完成12-Hi堆栈的新一代HBM3E高带宽内存，单颗容量达36GB，比之前的8-Hi 24GB增大了足足一半。 它将用于顶尖的AI、HPC计算产品，比如NVIDIA H200、B200等
据三名知情人士对媒体透露，全球最大存储芯片制造商三星电子的第五代高带宽内存芯片(HBM3E)的8层版本已通过英伟达的测试，可用于其人工智能处理器。 这对于三星来说绝对是一个重大突破。目前，
快科技6月21日消息，据媒体报道，NVIDIA近期开出13亿美元的预算，向美光和SK海力士预订HBM3E的产能，以确保其GH200和H200芯片的顺利出货。 尽管有专家指出，13亿美元的预算数字尚需进一步确认，
快科技3月25日消息，据媒体报道，英伟达最快将从9月开始大量购买12层HBM3E内存，这些内存将由三星电子独家供货。 在GTC 2024上，黄仁勋曾在三星电子的12层HBM3E实物产品上留下了"黄仁勋认
快科技3月19日消息，在今天的英伟达GTC 2024大会上，英伟达CEO黄仁勋宣布推出新一代GPU Blackwell，第一款Blackwell芯片名为GB200，将于今年晚些时候上市。 采用台积电4NP工艺制程，配备192 HB
快科技3月7日消息，三星日前宣布了全球首款36GB超大容量的新一代高带宽内存HBM3E，而在3月19日凌晨开幕的NVIDIA GTC 2024技术大会上，三星将首次进行公开展示。 三星HBM3E采用了24Gb颗粒、12层
快科技2月27日消息，今天，三星电子官方宣布，成功开发出业界首款36GB 12H（12层堆叠）HBM3E DRAM，巩固了在高容量HBM市场的领先地位。 通过采用TSV技术，三星将24Gb DRAM芯片堆叠到12层，从而
复制链接
QQ
微博
微信
QQ空间
豫公网安备 41010502003949号