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快科技8月4日消息，据报道，SK海力士正在开发400层堆叠的NAND闪存，将于2025年投入大规模量产，再次遥遥领先。 为了达成如此密集的堆叠，SK海力士使用了所谓的4D NAND闪存、混合键合技术，也就
快科技2月27日消息，今天，三星电子官方宣布，成功开发出业界首款36GB 12H（12层堆叠）HBM3E DRAM，巩固了在高容量HBM市场的领先地位。 通过采用TSV技术，三星将24Gb DRAM芯片堆叠到12层，从而
据国家知识产权局，5月6日，华为公布了一项关于“芯片堆叠封装结构及其封装方法、电子设备”的专利，更进一步披露了华为的堆叠芯片技术，申请公布号CN114450786A。 这项专利早在2019
今日，华为正式公开了“一种芯片堆叠封装及终端设备”专利，专利于2019年9月提出申请，该专利涉及半导体技术领域，其能够在保证供电需求的同时，解决因采用硅通孔技术而导致的成本高的
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