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快科技11月2日消息，长鑫科技近期在4F²垂直沟道DRAM架构上取得关键进展，并计划年底推出基于该架构的DDR5 RDIMM服务器内存。 该消息引发了我国台湾地区市场热议，财信传媒董事长谢金河1
快科技10月28日消息，据报道，国产DRAM制造商长鑫存储已向国内多家 AI 芯片设计公司送出HBM3E样品，预计未来两个月内启动小批量生产。 HBM3E是一种高带宽内存，通过垂直堆叠内存芯片制成，用于
快科技10月27日消息，美光总裁兼首席技术及产品官斯科特·德博尔近日接受媒体采访时明确表态，评估4F²技术超过20年后，美光认为它“不在路线图上”，将继续押注6F²架
快科技10月22日消息，据报道，美光总裁兼首席技术与产品官Scott DeBoer在2026年度技术网络研讨会上明确表态：经过二十多年研究，4F² DRAM架构不存在可行的微缩路径，其相对于6F²的密度
快科技10月20日消息，在全球DRAM市场被海外三巨头垄断数十年的格局下，长鑫正试图撕掉“备胎”标签，向巨头发起代际挑战。这场酝酿十年的阳谋路线非常清晰：通过底层的架构创新绕开EU
快科技10月12日消息，据报道，国产DRAM厂商长鑫科技下一代内存技术平台G6的技术指标预测近日流出。 该方案显示，长鑫将继续采用DUV光刻工艺生产G6代内存，预计最快于2028年推出，芯片单元面积将
快科技10月10日消息，在10月9日至10日举行的第四届集成芯片和芯粒大会上，长鑫存储总裁曹堪宇博士正式宣布，预计年底将推出融合4F²架构与混合键合等先进技术的新一代DDR5 RDIMM产品。
快科技10月6日消息，中芯国际多年来都是国产半导体一哥，也是技术最先进的，被称为村龙，不过它的地位在这一年中迅速被内存厂商长鑫科技逆袭，后者收入涨了近9倍。 随着年报的披露，在半导体生
快科技9月22日消息，据报道，全球存储器持续严重缺货，AI及云端应用推升DRAM与NAND Flash需求急迫。中国两大存储巨头长江存储与长鑫存储，正从“兄弟登山”走向正面竞争。 长江存储跨
快科技9月21日消息，在合肥举行的2026世界制造业大会上，长鑫科技正式宣布第五代DRAM技术平台（G5平台）实现量产，同步展出了基于该平台打造的大容量LPDDR5X产品，并首次公开展示了已量产的LPDD
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