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快科技9月5日消息,国内半导体设备龙头北方华创近日在IEEE期刊发表学术论文,宣布在3D DRAM制造工艺上取得重大技术突破。该公司开发出一种创新的两步循环刻蚀工艺,有望帮助长鑫存储绕过EUV光刻