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  三星全球首发3D堆叠逻辑晶体管：42nm栅极间距、密度翻倍

  快科技6月17日消息，三星电子在2026年VLSI超大规模集成电路研讨会上宣布，全球首次实现栅极间距42nm的3D堆叠场效应晶体管（3D Stacked FET）。 传统逻辑芯片依靠缩小晶体管横向间距提升集成度，

  2026-06-17 15:430000

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