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快科技6月20日消息,中国科学院微电子研究所集成电路制造技术全国重点实验室团队联合北京超弦存储器研究院,在IGZO 2T0C 3D DRAM领域取得重要突破,首次实现4层堆叠3D 2T0C存储单元。 AI与高性