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快科技11月11日消息，针对市场传闻台积电应英伟达要求评估进军3D DRAM，有DRAM教父之称的兆捷科技董事长、长江存储前执行董事长高启全在11月10日的媒体交流会上给出了直接的判断：“台积电
快科技11月9日消息，据报道，全球最大晶圆代工厂台积电正考虑进军先进存储芯片制造。据称台积电近期应最大客户英伟达的要求，着手规划生产3D DRAM，该项目由负责先进封装业务的副总经理徐国钦牵
快科技11月9日消息，台积电近期在存储领域的动作呈现出明显的两面性。一方面，公司公开否认应英伟达要求研发3D DRAM，强调专注于晶圆代工核心业务。另一方面，其BEOL（后段制程）内存技术已进入
今年10月，全球DRAM合约均价再度刷新历史新高，同时NAND闪存均价延续上月的最高价位。 机构预计，今年第四季度，DRAM价格有望环比上涨，而NAND闪存方面，MLC闪存和SLC闪存价格走势将出现分化。
快科技10月31日消息，长鑫科技近日发布第三季度财报后，随后在举行的第三季度业绩交流会中公布新进展，在4F²垂直沟道DRAM架构取得关键突破的基础之上，第六代工艺技术平台已完成工程样片的
快科技10月27日消息，美光总裁兼首席技术及产品官斯科特·德博尔近日接受媒体采访时明确表态，评估4F²技术超过20年后，美光认为它“不在路线图上”，将继续押注6F²架
快科技10月22日消息，据报道，美光总裁兼首席技术与产品官Scott DeBoer在2026年度技术网络研讨会上明确表态：经过二十多年研究，4F² DRAM架构不存在可行的微缩路径，其相对于6F²的密度
快科技10月21日消息，人工智能半导体领域近日传出架构剧变信号，以高速SRAM设计闻名的芯片公司Groq，被曝正在其下一代芯片中引入3D堆叠DRAM封装技术。 这一举措标志着Groq正试图摆脱传统SRAM架
快科技9月5日消息，国内半导体设备龙头北方华创近日在IEEE期刊发表学术论文，宣布在3D DRAM制造工艺上取得重大技术突破。该公司开发出一种创新的两步循环刻蚀工艺，有望帮助长鑫存储绕过EUV光刻
快科技9月4日消息，美国AI芯片初创d-Matrix近日在Hot Chips 2026上详细介绍了其Raptor 3D-DRAM生成式AI推理加速器。该芯片采用台积电N4逻辑裸片与3D-DRAM面对面堆叠的架构，将内存直接置于计算芯
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