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快科技9月5日消息，国内半导体设备龙头北方华创近日在IEEE期刊发表学术论文，宣布在3D DRAM制造工艺上取得重大技术突破。该公司开发出一种创新的两步循环刻蚀工艺，有望帮助长鑫存储绕过EUV光刻
快科技9月4日消息，美国AI芯片初创d-Matrix近日在Hot Chips 2026上详细介绍了其Raptor 3D-DRAM生成式AI推理加速器。该芯片采用台积电N4逻辑裸片与3D-DRAM面对面堆叠的架构，将内存直接置于计算芯
快科技9月2日消息，AMD近日在内部技术研讨会上披露了一项令人振奋的实验数据：基于混合键合（Hybrid Bonding）技术的3D DRAM架构，其能效相比传统HBM堆栈最高可提升17倍。这意味着在相同功耗下，
快科技7月25日消息，SK海力士正通过位于美国加州圣何塞的子公司招募3D堆叠式DRAM逻辑设计工程师。这项技术的目标，是把DRAM芯片直接垂直堆叠在手机SoC等逻辑芯片之上，从封装层面解决端侧AI的性
快科技7月25日消息，美国出口管制切断了长鑫存储获取HBM制造工具的渠道，使其在主流AI内存市场难以与三星、SK海力士直接竞争。面对这一困境，长鑫存储正转向定制化DRAM寻求突破。 长鑫存储的战
快科技7月24日消息，随着AI芯片对带宽、功耗和数据传输效率的要求不断提升，3D IC正成为半导体行业关注的新方向。 近期全球半导体公司以及人工智能相关半导体企业都在积极评估3D IC方案，相关热
快科技7月3日消息，根据TrendForce集邦咨询发布的最新存储器价格调查，2026年第三季度DRAM合约价预计季度环比增长13%至18%，NAND Flash合约价预计季度环比增长10%至15%。 这是近一年多来存储涨
快科技6月20日消息，中国科学院微电子研究所集成电路制造技术全国重点实验室团队联合北京超弦存储器研究院，在IGZO 2T0C 3D DRAM领域取得重要突破，首次实现4层堆叠3D 2T0C存储单元。 AI与高性
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