随着全球云服务科技大厂纷纷斥巨资掀起人工智能（AI）数据中心建设热潮，推动了对于DRAM的巨大需求，但由于现有产能有限，引发了整个DRAM市场的持续供不应求、价格飙升。
据Counterpoint Research的数据显示，今年一季度DRAM价格已上涨了80%至90%。多家DRAM厂商均表示，二季度DRAM价格将进一步上涨，2026年的产能已经售罄，甚至2027年的产能也已经售罄，合约价格则都是需要逐季确定。不少业者甚至认为DRAM紧缺、涨价的态势将延续到2028年。
三星电子、SK海力士和美光这三大DRAM原厂为了利益最大化，甚至将更多的产能和资源投入到了数据中心所需的HBM产品当中，这也加剧了消费类DRAM的供应紧缺。
那么存储芯片的供不应求、价格上涨何时才能缓解呢？
IEEE Spectrum采访了多位经济学家和存储器专家，认为如今的局面是 DRAM 行业历史上长期存在的繁荣与衰退周期，以及规模空前的 AI基础设施建设相互碰撞的结果。除非 AI 领域出现重大崩盘，否则新增产能和新技术需要数年时间才能使供应与需求相匹配，价格也可能依然居高不下。
DRAM短缺的根源
内存和存储行业的观察人士一致认为，DRAM 行业周期性极强，既有巨大的繁荣期，也有衰退期。存储和内存专家、 Coughlin Associates总裁Thomas Coughlin解释说，由于新建晶圆厂的成本高达 150 亿美元甚至更多，企业极不愿扩张，可能只有在繁荣时期才有资金进行扩张。但建设这样一座晶圆厂并使其投入运营可能需要 18 个月或更长时间，这实际上意味着新增产能的到来远远晚于最初的市场需求高峰期，导致市场供过于求，价格下跌。
Thomas Coughlin表示，上一轮存储芯片繁荣周期的可以追溯到新冠疫情期间引发的芯片供应恐慌。他指出，为了避免供应链中断并支持向远程办公的快速转型，超大规模数据中心巨头——例如亚马逊、谷歌和微软大量购入DRAM和NAND，推高了价格。
但随后供应趋于稳定，数据中心扩张在2022年放缓，导致DRAM和NAND价格暴跌。Thomas Coughlin表示，这场衰退持续到2023年，甚至导致三星等大型内存和存储设备公司减产50%，以试图防止价格跌破制造成本。这是一种罕见且相当无奈的举措，因为企业通常需要满负荷运转才能收回成本。
Thomas Coughlin指出，在2023年末开始复苏之后，“所有DRAM和NAND公司都非常谨慎地对待再次扩大产能的问题。因此，2024年和2025年的大部分时间里，几乎没有对新的产能进行投资。”
新投资的匮乏与2025年新建数据中心需求的激增形成了鲜明对比。根据Data Center Map的数据显示，目前全球有近2000个新建数据中心正在规划或建设中。如果这些数据中心全部建成，全球数据中心供应量将增长20%，而目前全球数据中心数量约为9000个。
如果目前的建设速度持续下去，麦肯锡预测，到2030年，企业将在数据中心建设上投入7万亿美元，其中5.2万亿美元将用于AI数据中心。该公司预测，在这5.2万亿美元中，约3.3万亿美元将用于服务器、数据存储和网络设备。
迄今为止，AI数据中心热潮的最大受益者无疑是GPU制造商英伟达。其数据中心业务的收入从2019年第四季度的不足10亿美元飙升至2025年10月结束的季度的510亿美元。在此期间，其AI GPU所需的HBM容量越来越多。最近发布的B300使用了8个HBM芯片，每个芯片由12个DRAM芯片堆叠而成。竞争对手对HBM的使用也与英伟达的做法大体相同。例如，AMD的MI350 GPU也使用了8个12层堆叠的HBM芯片。
根据SemiAnalysis预计 ，HBM 的成本通常是其他类型DRAM的三倍，并且占AI加速器总成本的 50% 甚至更多。
由于需求旺盛，HBM在DRAM制造商的收入中所占比例越来越高。美光报告称，HBM和其他云相关内存产品在其DRAM收入中的占比将从2023年的17%增长到2025年的近50%。
美光科技首席执行官桑杰·梅赫罗特拉 (Sanjay Mehrotra) 在去年12月向分析师表示，该公司预测HBM市场总规模将从2025年的350亿美元增长到2028年的1000亿美元，这一数字将超过2024年整个DRAM市场的规模。这一数字比美光此前的预期提前了两年达到。他表示，在可预见的未来，整个行业的需求将“大幅超过供应”。
DRAM或将长期供不应求
Mkecon Insights的经济学家Mina Kim解释说：“解决DRAM供应问题有两种方法：一是创新，二是建设更多晶圆厂。随着DRAM规模化变得越来越困难，业界转向了先进封装技术……而这实际上就是使用更多的DRAM。”
三星、SK海力士、美光三家公司占据了全球DRAM和NAND市场的大部分份额，而且这三家公司都在筹建新的晶圆厂和生产设施。然而，这些举措不太可能对降低价格产生实质性影响。
美光正在新加坡建设一座HBM晶圆厂，预计将于2027年投产。同时，该公司正在对其从中国台湾PSMC收购的一座晶圆厂进行改造，该晶圆厂也将于2027年下半年投产。然而，这些设施大多将专注于生产英伟达AI GPU 所需的HBM，而非消费类电子产品所需的标准DRAM。至于，美光今年1月在美国纽约州动工兴建的一座DRAM晶圆厂，则是要等到2030 年才能全面投产。
SK海力士正积极在韩国清州（Cheongju）和美国印第安纳州建设新的HBM 工厂，这两处设施预计都要等到2028 年底才能完工投产。该公司甚至为了满足AI 客户巨大且惊人的需求，将原本的2027 年设厂计划提前了三个月，并承诺投入超过5,000 亿美元建设四座新晶圆厂，更宣布投资近130 亿美元于新的封装设施。可预见的是，这一切重心皆在于AI。
三星位于韩国平泽（Pyeongtaek）的新晶圆厂预计于2028年开始量产。
由于这些扩建项目在未来几年内无法发挥作用，因此需要其他因素来增加供应。“缓解供应紧张的途径包括现有DRAM领先企业逐步扩大产能、先进封装工艺的良率提升以及供应链的多元化，”全球电子协会（前身为IPC）首席经济学家肖恩·杜布拉瓦克（Shawn DuBravac）表示。“新建晶圆厂会起到一定作用，但更快速的提升将来自工艺学习、更高的DRAM堆叠效率以及存储器供应商和AI芯片设计商之间更紧密的合作。”
那么，一旦这些新工厂自2027年陆续投产，DRAM价格就会下降吗？别抱太大希望。
“一般来说，经济学家发现价格下降的速度远比上涨的速度慢得多，而且下降的幅度也小得多。如今DRAM芯片不太可能成为这一普遍规律的例外，尤其是在AI计算需求如此旺盛的情况下，”Mina Kim说道。
与此同时，一些正在研发中的技术有望使HBM成为更大的硅片消耗者。HBM4标准可以容纳16个堆叠的DRAM芯片，而目前的芯片仅使用12个芯片。实现16个芯片的堆叠高度很大程度上取决于芯片堆叠技术。如何有效地将热量传导至由硅、焊料和支撑材料组成的HBM“层叠结构”是限制芯片堆叠高度以及重新定位封装内HBM以获得更高带宽的关键因素。
SK海力士声称，其名为先进MR-MUF（回流焊注塑成型底部填充）的制造工艺能够带来导热优势。展望未来，一种名为混合键合的芯片堆叠技术有望通过将芯片间的垂直距离几乎降至零来提升导热性能。2024年，三星的研究人员证明，他们能够利用混合键合技术制造出16层高的芯片堆叠，并表示20层芯片堆叠并非遥不可及。
然而，更多层数堆叠的HBM的推出，无疑将会消耗更多的DRAM产能，这对于缓解DRAM供应紧缺问题并没有帮助。
英特尔首席执行官陈立武上周在思科人工智能峰会上谈到他对DRAM市场的看法时表示：“到2028年之前，（存储芯片的供应紧缺）情况都不会有所好转。”
值得一提的是，由于NAND Flash同样面临产能排挤与减产策略，SSD 的价格也正在飙涨。市场消息指出，三星、SK 海力士和Sandisk 等大厂皆计划在2026 年将NAND Flash芯片价格翻倍。
慧荣科技（Silicon Motion）的CEO甚至发出警告，表示机械硬盘（HDD）、DRAM、HBM 和NAND Flash在2026 年都将面临严重短缺，这是前所未见的情况。
同样，显卡产品由于所需显存（VRAM）供应的紧缺，也将面临减产。传闻英伟达由于显存供应紧缺，计划在2026年不再推出新产品，并且将削减高达40%的游戏显卡产量，以保障对于利润率更高的高端显卡产品的供应。这代表着，未来的显示卡不仅价格昂贵，甚至可能面临缺货。
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