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IT产品年度总评——主板 内存篇
[内存篇——内存年度事件表]
2007年内存行业事件表
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1月4日
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日本Elpida内存公司宣布在业内第一个实现了70nm制程DDR2 DRAM颗粒的量产,Elpida表示新的70纳米产品将会在2007年第一季度供应市场。
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1月6日
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市场调研公司iSuppli预测2007年内存市场整体价格会下降。
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1月9日
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金士顿开通了400-810-1972免费技术支持热线。
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1月10日
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DRAM大厂Hynix开始逐步减产DDR颗粒,DRAM现货市场展开储粮计划。
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1月15日
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金士顿SLI-Ready 1066MHz低延时(low-latency)HyperX内存通过NVIDIA公司的SLI认证。
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1月23日
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三星电子宣布今年将投资19亿美金,着重扩展其计算机内存芯片的生产能力。
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1月24日
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Hynix宣布正在研发90nm工艺、800MHz频率、单条2GB的DDR2内存。
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1月29日
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Elpida预测2007年第一季度DRAM内存价格将会全面下降20%。
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2月1日
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Hynix预测2007年DRAM内存价格将会全面下降30%。
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2月6日
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美国纽约州检察机关宣布,三星电子同意支付九千万美元了结价格操纵纠纷。
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2月8日
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内存调研机构DRAMeXchange预计2GB内存在2008年走入主流。
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2月22日
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IBM计算机专家David Short表示4GB内存才能把Vista的性能发挥至最佳。
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2月28日
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力晶半导体公司总裁Brian Hsieh预计下半年内存价格会上涨。
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3月1日
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三星电子宣布已经开始大规模生产1GB、60nm技术的Nano DRAM内存芯片。
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3月8日
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Kingmax推出DDR2-1066内存,称每个DDR2-1066都可以超频10%。
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3月15日
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ProMOS宣布开始量产70nm工艺内存芯片。
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3月16日
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威刚科技表示将把小部份DRAM订单委托友旺生产。
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3月27日
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市场调研公司iSuppli公布了内存模组调查报告,金士顿以16.7%排第一。
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4月19日
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Intel在北京IDF上展示了PRAM内存,并表示PRAM有能力取代DRAM内存。
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4月20日
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三星电子和微软签署了一份专利相互授权协议,以利加快新产品的开发步伐。
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4月23日
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三星电子宣布率先完成了TSV WSP DRAM内存,但没有投放市场的计划。
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4月23日
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金邦推出采用碳纤材料的Esoteria系列内存。
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4月29日
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DDR3内存在日本上市销售,1GB 1066MHz内存报价2800元RMB。
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5月3日
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Hynix宣布从Intel获得了业界首个DDR3内存的认证。
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5月15日
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Qimonda宣布已经开始向OEM厂商出货DDR3内存芯片和内存条。
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5月23日
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有消息称部分DRAM厂商已经开始削减DRAM芯片的产量。
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5月24日
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Hynix宣布开始研究32nm工艺。
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5月29日
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Nanya表示DRAM内存生产商很可能无法在第二季度实现盈利。
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6月1日
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宇瞻科技推出1GB DDR3 1600内存模组
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6月5日
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三星电子停止向OEM商内存供货,Hynix趁机扩大OEM出货量。
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6月9日
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金邦推出4GB套装1066MHz的高端DDR2超频内存,报价3195元RMB。
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6月11日
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华硕推出了DDR3-1333 2x1GB套装内存。
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6月13日
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IBM向美国专利管理局提交了一份内存外置盒的专利申请。
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6月15日
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台湾厂商Team Group在日本推出1*2GB DDR2 1300MHz内存套装。
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6月27日
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JEDEC组织正式完成了DDR3内存规范。
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7月17日
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金邦推出了70nm工艺单条2GB内存,报价799元。
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7月19日
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高端内存厂商OCZ宣布了全球第一款额定频率1800MHz的DDR3内存产品。
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7月23日
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三星电子宣布其50nm工艺DDR2 1GB内存颗粒已经获得了Intel的官方认证。
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7月25日
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金邦公布了30款DDR3内存产品。
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7月26日
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AMD公布了G3MX内存技术。
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9月28日
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Hynix暂时退出了内存零售市场。
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10月8日
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金士顿发布了DDR3 1800MHz内存。
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10月10日
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OCZ发布了首款容量达到4GB的NVIDIA SLI认证内存套装。
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11月7日
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Elpida宣布研制成功业界首款65nm工艺的1GB DDR2 DRAM内存芯片。
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11月21日
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金邦推出了黑龙系列高端游戏内存新品“黑龙EVO ONE”。
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11月21日
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内存调研机构DRAMeXchange公布了1GB DDR2内存颗粒价格:1.91美元。
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11月22日
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Hynix宣布其54nm工艺1GB DDR2 DRAM内存已经获得Intel的认证许可。
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12月28日
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宇瞻推出台式机DDR2-1066 4GB 内存和服务器4GB DDR2-800FB-DIMM、 8GB DDR2-667 ECC RDIMM 大容量内存
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2008年内存行业事件表
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1月18日
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Qimonda宣布已经产出了首颗512Mb XDR内存样品。
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1月25日
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Nanya预计DRAM内存芯片市场在2008年第二季度会上涨至少40%。
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