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小米自研800V高压碳化硅平台 雷军:实际已达900V
2023-12-28 14:30:57  出处:快科技 作者:落木 编辑:落木     评论(0)点击可以复制本篇文章的标题和链接

快科技12月28日消息,在正在举行的小米汽车技术发布会上,雷军称小米自研了800V高压碳化硅平台

同时其还表示,目前市面上的800V很多都不是800V,只有700多,甚至个别还有500多,虽然在业界都可以统称800V,但小米并不准备这样做。

据悉,小米的800V已经达到了871V,雷军称基本已经可以达到了900V的标准。

同时小米还打造了CTB一体化电池技术,电池包厚度仅120mm,线束减少了91%,同时自研的800V架构最高可容纳150度电池,CLTC续航里程超1200公里;目前成熟的体系为132千瓦时,CLTC续航里程超1000公里

不止如此,雷军称小米的电池还具有更多高端科技,包括电芯倒置技术,确保安全,还将挑战冬季电车续航之王。

小米自研800V高压碳化硅平台 雷军:实际已达900V

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责任编辑:落木

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