Hynix宣布，其54nm工艺1Gb DDR2 DRAM内存生产技术已经获得Intel的认证许可，这也是内存业界首次步入50nm级别。

与60nm相比，54nm可以让内存芯片面积减小大约40％之多，从而大大降低生产成本，并改进频率功耗指标。此外，Hynix还提出了“三维晶体管”架构和“W-DPG”技术可以将电流泄漏降到最低，从而进一步降低总体功耗。

Hynix称，54nm技术将从明年下半年开始用于生产DDR2和DDR3内存芯片，容量1Gb、2Gb，此外该技术还可在未来用于生产显存芯片和移动内存芯片。