三、性能与游戏：综合性能超越骁龙8+ 原神直接干到满帧

Redmi K70E拿下了天玑8300-Ultra平台的首发权，升级到第二代4nm（N4P）工艺，并抛弃了前代Cortex-A78+A55的架构设计，改用全新的Cortex-A715+A510的架构，CPU的单核与多核性能双双升级。

天玑8300-Ultra仍然采用了“1+3+4”的三丛架构设计，1×3.35GHz的Cortex-A715+3×3.2GHz的Cortex-A715+4×2.2GHz的Cortex-A510，组成了八个核心。

GPU引入了全新的Mali-G615核心，在保持6个核心的状态下，主频还剩几道了1.4GHz，浮点运算能力提升了1倍，三角片输出能力提升2倍，FP16浮点混合运算输出能力提升1倍。

按照官方说法，天玑8300-Ultra的CPU峰值性能提升了20％，同时功耗降低了30％，GPU峰值性能提升高达82%，功耗甚至还降低了55%之多。

天玑8300-Ultra的AI模块升级到APU 780，直接延续了天玑9300的APU 790的关键规格和特性，整数、浮点运算性能都提升了2倍，Transformer算子加速提升了8倍。

此外，天玑8300-Ultra还支持了天玑9200相同的LPDDR5X 8533Mbps内存以及UFS 4.0闪存，兼容了多循环队列技术(MCQ)，与去年的天玑旗舰芯片看齐。

我们手上的Redmi K70E就是顶配版本，搭载16GB LPDDR5X 8533Mbps内存和1TB UFS 4.0闪存。

对此，我们也对Redmi K70E进行了理论性能测试与游戏实测，在测试期间，我们将手机的屏幕亮度调整为50%并关闭自动亮度，关闭内存扩展，开启性能模式进行测试。

——理论性能测试

首先是安兔兔综合测试，总成绩达到146.2万，在中端手机市场中名列前茅。

接着，我们对Redmi K70E的CPU和GPU性能做了单项测试。

在Geekbench 6测试中，天玑8300-Ultra的CPU单核成绩为1534分，相比8200提升了约20.6%，多核成绩达到4860分，同比提升了约19.9%，多核性能甚至超越了去年的高通旗舰芯片骁龙8+。

GPU测试，GFXBench的六项1080P项目，在连续测试条件下，成绩如下：

阿兹特克废墟OpenGL：138FPS

阿兹特克废墟Vulkan：144FPS

赛车追逐帧率：109FPS

曼哈顿3.1离屏：192FPS

曼哈顿离屏：271FPS

霸王龙离屏：430FPS

比起上代天玑8200-Ultra，这一代天玑8300-Ultra在图形渲染能力上优势非常明显，提升最多高达89%，性能提升了接近1倍。

最后，我们也对K70E做了闪存读写测试，顺序读取速度为2.73GB/s，写入速度为2.94GB/s，符合UFS 4.0的性能水平。

——游戏实测

跑分只能代表理论性能，游戏的实际表现才能说明一切。

接着我们进行游戏实战，来看看K70E的狂暴引擎3.0对天玑8300-Ultra的调教到底如何。

游戏测试，我们挑选了低、中、高负载的三款极具代表性的主流手游大作，分别为《王者荣耀》、《和平精英》以及《原神》，在室内为23摄氏度的办公环境下，以帧率优先进行测试，并记录下游戏过程中的帧率、功耗、能效比以及机身的温度表现。

1、王者荣耀

我们首先测试了较低负载的王者荣耀手游，在极致画质下使用极高帧率测试，游戏以964×2146分辨率与120帧运行，一局激烈的团战过后，可以看到画面的帧率非常稳定，仅有一丝丝细小的波动，但并不影响画面的稳定性，最终平均帧率维持在119.6FPS，平均波动0.6。

平均功耗3.31W左右，帧能耗27.7mW，能效比为36.1FPS/W，相比天玑8200，能效比提升了约8.8%。

温度方面，机身正面最高39.1摄氏度，背面最高温度39摄氏度，双手握持手机玩游戏会感到有一丝的热量。

2、和平精英

接着我们测试了中负载的和平精英手游，在流畅画质下可开启90帧，一局团战过后，帧率曲线同样非常稳定，平均帧率维持在89.2FPS，接近满帧，平均波动仅有0.9。

功耗方面，平均功耗来到了4.32W，帧能耗48.14mW，能效比为20.6FPS/W，相比8200，能效比差了约13.9%。

机身正面最高温度40.6摄氏度，背面最高40.5摄氏度。

3、原神

最后我们测试了高负载的原神手游，在最高画质+60帧模式下，游戏以864P分辨率运行。

这一次，天玑8系芯片终于轻松驾驭了高负载的原神手游，边跑图边打怪，平均帧率稳定在59.8FPS，平均波动仅有0.9，游戏期间几乎感受不到画面的抖动。

接着查看了功耗，平均5.94W，接近6W的功耗，但能效比依然达到了10.1FPS/W，这属于比较理想的成绩了。

温度方面，正面最高43.3摄氏度，背面最高44.1摄氏度，高温区域主要集中在相机模组左右。